第一篇 高密度(HD)电路的设计
本文介绍，许多人把芯片规模的ＢＧＡ封装看作是由便携式电子产品所需的空间限制的一个可行的解决方案，它同时满足这些产品更高功能与性能的要求。为便携式产品的高密度电路设计应该为装配工艺着想。
当为今天价值推动的市场开发电子产品时，性能与可靠性是最优先考虑的。为了在这个市场上竞争，开发者还必须注重装配的效率，因为这样可以控制制造成本。电子产品的技术进步和不断增长的复杂性正产生对更高密度电路制造方法的需求。当设计要求表面贴装、密间距和向量封装的集成电路ＩＣ 时，可能要求具有较细的线宽和较密间隔的更高密度电路板。可是，展望未来，一些已经在供应微型旁路孔、序列组装电路板的公司正大量投资来扩大能力。这些公司认识到便携式电子产品对更小封装的目前趋势。单是通信与个人计算产品工业就足以领导全球的市场。
高密度电子产品的开发者越来越受到几个因素的挑战：物理复杂元件上更密的引脚间隔 、财力贴装必须很精密 、和环境许多塑料封装吸潮，造成装配处理期间的破裂 。物理因素也包括安装工艺的复杂性与最终产品的可靠性。进一步的财政决定必须考虑产品将如何制造和装配设备效率。较脆弱的引脚元件，如０．５０与０．４０ｍｍ０．０２０″与０．０１６″ 引脚间距的ＳＱＦＰｓｈｒｉｎｋ ｑｕａｄ ｆｌａｔ ｐａｃｋ ，可能在维护一个持续的装配工艺合格率方面向装配专家提出一个挑战。最成功的开发计划是那些已经实行工艺认证的电路板设计指引和工艺认证的焊盘几何形状。
在环境上，焊盘几何形状可能不同，它基于所用的安装电子零件的焊接类型。可能的时候，焊盘形状应该以一种对使用的安装工艺透明的方式来定义。不管零件是安装在板的一面或两面、经受波峰、回流或其它焊接，焊盘与零件尺寸应该优化，以保证适当的焊接点与检查标准。虽然焊盘图案是在尺寸上定义的，并且因为它是印制板电路几何形状的一部分，它们受到可生产性水平和与电镀、腐蚀、装配或其它条件有关的公差的限制。生产性方面也与阻焊层的使用和在阻焊与导体图案之间的对齐定位有关。
1、焊盘的要求
国际电子技术委员会ＩＥＣ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ 的６１１８８标准认识到对焊接圆角或焊盘凸起条件的不同目标的需要。这个新的国际标准确认两个为开发焊盘形状提供信息的基本方法：
１)．基于工业元件规格、电路板制造和元件贴装精度能力的准确资料。这些焊盘形状局限于一个特定的元件，有一个标识焊盘形状的编号。
２)．一些方程式可用来改变给定的信息，以达到一个更稳健的焊接连接，这是用于一些特殊的情况，在这些情况中用于贴装或安装设备比在决定焊盘细节时所假设的精度有或多或少的差别。
该标准为用于贴装各种引脚或元件端子的焊盘定义了最大、中等和最小材料情况。除非另外标明，这个标准将所有三中“希望目标”标记为一级、二级或三级。
一级：最大 － 用于低密度产品应用，“最大”焊盘条件用于波峰或流动焊接无引脚的片状元件和有引脚的翅形元件。为这些元件以及向内的″Ｊ″型引脚元件配置的几何形状可以为手工焊接和回流焊接提供一个较宽的工艺窗口。
二级：中等 － 具有中等水平元件密度的产品可以考虑采用这个“中等”的焊盘几何形状。与ＩＰＣ－ＳＭ－７８２标准焊盘几何形状非常相似，为所有元件类型配置的中等焊盘将为回流焊接工艺提供一个稳健的焊接条件，并且应该为无引脚元件和翅形引脚类元件的波峰或流动焊接提供适当的条件。
三级：最小 － 具有高元件密度的产品通常是便携式产品应用 可以考虑“最小”焊盘几何形状。最小焊盘几何形状的选择可能不适合于所有的产品。在采用最小的焊盘形状之前，使用这应该考虑产品的限制条件，基于表格中所示的条件进行试验。
在ＩＰＣ－ＳＭ－７８２中所提供的以及在ＩＥＣ６１１８８中所配置的焊盘几何形状应该接纳元件公差和工艺变量。虽然在ＩＰＣ标准中的焊盘已经为使用者的多数装配应用提供一个稳健的界面，但是一些公司已经表示了对采用最小焊盘几何形状的需要，以用于便携式电子产品和其它独特的高密度应用。
国际焊盘标准(ＩＥＣ６１１８８)了解到更高零件密度应用的要求，并提供用于特殊产品类型的焊盘几何形状的信息。这些信息的目的是要提供适当的表面贴装焊盘的尺寸、形状和公差，以保证适当焊接圆角的足够区域，也允许对这些焊接点的检查、测试和返工。
图一和表一所描述的典型的三类焊盘几何形状是为每一类元件所提供的：最大焊盘(一级)、中等焊盘(二级)和最小焊盘(三级)。
图一、两个端子的、矩形电容与电阻元件的IEC标准可以不同以满足特殊产品应用
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 0.6 0.4 0.2
脚跟-焊盘突出 0.0 0.0 0.0
侧面-焊盘突出 0.1 0.0 0.0
开井余量 0.5 0.25 0.05
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
表一、矩形与方形端的元件
(陶瓷电容与电阻) (单位:mm)
焊接点的脚趾、脚跟和侧面圆角必须针对元件、电路板和贴装精度偏差的公差平方和 。如图二所示，最小的焊接点或焊盘突出是随着公差变量而增加的（表二）。
图二、带状翅形引脚元件的IEC标准定义了三种可能的变量以满足用户的应用
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 0.8 0.5 0.2
脚跟-焊盘突出 0.5 0.35 0.2
侧面-焊盘突出 0.05 0.05 0.03
开井余量 0.5 0.25 0.05
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
表二、平带L形与翅形引脚
(大于0.625mm的间距) (单位:mm)
如果这些焊盘的用户希望对贴装和焊接设备有一个更稳健的工艺条件，那么分析中的个别元素可以改变到新的所希望的尺寸条件。这包括元件、板或贴装精度的扩散，以及最小的焊接点或焊盘突出的期望（表３，４，５和６）。
用于焊盘的轮廓公差方法的方式与元件的类似。所有焊盘公差都是要对每一个焊盘以最大尺寸提供一个预计的焊盘图形。单向公差是要减小焊盘尺寸，因此得当焊接点形成的较小区域。为了使开孔的尺寸标注系统容易，焊盘是跨过内外极限标注尺寸的。
在这个标准中，尺寸标注概念使用极限尺寸和几何公差来描述焊盘允许的最大与最小尺寸。当焊盘在其最大尺寸时，结果可能是最小可接受的焊盘之间的间隔；相反，当焊盘在其最小尺寸时，结果可能是最小的可接受焊盘，需要达到可靠的焊接点。这些极限允许判断焊盘通过／不通过的条件。
假设焊盘几何形状是正确的，并且电路结构的最终都满足所有规定标准，焊接缺陷应该可以减少；尽管如此，焊接缺陷还可能由于材料与工艺变量而发生。为密间距ｆｉｎｅ ｐｉｔｃｈ 开发焊盘的设计者必须建立一个可靠的焊接连接所要求的最小脚尖与脚跟，以及在元件封装特征上允许最大与最小或至少 的材料条件。
表三、J形引脚 (单位:mm)
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 0.2 0.2 0.2
脚跟-焊盘突出 0.8 0.6 0.4
侧面-焊盘突出 0.1 0.05 0.0
开井余量 1.5 0.8 0.2
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
表四、圆柱形端子（MELF） (单位:mm)
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 1.0 0.4 0.2
脚跟-焊盘突出 0.2 0.1 0.0
侧面-焊盘突出 0.2 0.1 0.0
开井余量 0.2 0.25 0.25
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
表五、只有底面的端子 (单位:mm)
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 0.2 0.1 0
脚跟-焊盘突出 0.2 0.1 0
侧面-焊盘突出 0.2 0.1 0
开井余量 0.25 0.1 0.05
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
表六、内向L形带状引脚 (单位:mm)
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 0.1 0.1 0.0
脚跟-焊盘突出 1.0 0.5 0.2
侧面-焊盘突出 0.1 0.1 0.1
开井余量 0.5 0.25 0.05
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
2、BGA与CAP
ＢＧＡ封装已经发展到满足现在的焊接安装技术。塑料与陶瓷ＢＧＡ元件具有相对广泛的接触间距（１．５０，１．２７和１．００ｍｍ），而相对而言，芯片规模的ＢＧＡ栅格间距为０．５０，０．６０和０．８０ｍｍ。ＢＧＡ与密间距ＢＧＡ元件两者相对于密间距引脚框架封装的ＩＣ都不容易损坏，并且ＢＧＡ标准允许选择性地减少接触点，以满足特殊的输入／输出（Ｉ／Ｏ）要求。当为ＢＧＡ元件建立接触点布局和引线排列时，封装开发者必须考虑芯片设计以及芯片块的尺寸和形状。在技术引线排列时的另一个要面对的问题是芯片的方向芯片模块的焊盘向上或向下 。芯片模块“面朝上”的结构通常是当供应商正在使用ＣＯＢ（ｃｈｉｐ－ｏｎ－ｂｏａｒｄ）（内插器）技术时才采用的。
元件构造，以及在其制造中使用的材料结合，不在这个工业标准与指引中定义。每一个制造商都将企图将其特殊的结构胜任用户所定义的应用。例如消费产品可能有一个相对良好的工作环境，而工业或汽车应用的产品经常必须运行在更大的压力条件下。取决于制造ＢＧＡ所选择材料的物理特性，可能要使用到倒装芯片或引线接合技术。因为芯片安装结构是刚性材料，芯片模块安装座一般以导体定中心，信号从芯片模块焊盘走入接触球的排列矩阵。
在该文件中详细叙述的栅格阵列封装外形在ＪＥＤＥＣ的９５出版物中提供。方形ＢＧＡ，ＪＥＤＥＣ ＭＳ－０２８定义一种较小的矩形塑料ＢＧＡ元件类别，接触点间隔为１．２７ｍｍ。该矩阵元件的总的外形规格允许很大的灵活性，如引脚间隔、接触点矩阵布局与构造。ＪＥＤＥＣ ＭＯ－１５１定义各种塑料封装的ＢＧＡ。方形轮廓覆盖的尺寸从７．０－５０．０，三种接触点间隔 － １．５０，１．２７和１．００ｍｍ。
球接触点可以单一的形式分布，行与列排列有双数或单数。虽然排列必须保持对整个封装外形的对称，但是各元件制造商允许在某区域内减少接触点的位置。
3、芯片规模的BGA变量
针对“密间距”和“真正芯片大小”的ＩＣ封装，最近开发的ＪＥＤＥＣ ＢＧＡ指引提出许多物理属性，并为封装供应商提供“变量”形式的灵活性。ＪＥＤＥＣ ＪＣ－１１批准的第一份对密间距元件类别的文件是注册外形ＭＯ－１９５，具有基本０．５０ｍｍ间距接触点排列的统一方形封装系列。
封装尺寸范围从４．０－２１．０ｍｍ，总的高度(定义为“薄的轮廓”)限制到从贴装表面最大为１．２０ｍｍ。下面的例子代表为将来的标准考虑的一些其它变量。
球间距与球尺寸将也会影响电路布线效率。许多公司已经选择对较低Ｉ／Ｏ数的ＣＳＰ不采用０．５０ｍｍ间距。较大的球间距可能减轻最终用户对更复杂的印刷电路板(ＰＣＢ)技术的需求。
０．５０ｍｍ的接触点排列间隔是ＪＥＤＥＣ推荐最小的。接触点直径规定为０．３０ｍｍ，公差范围为最小０．２５、最大０．３５ｍｍ。可是大多数采用０．５０ｍｍ间距的ＢＧＡ应用将依靠电路的次表面布线。直径上小至０．２５ｍｍ的焊盘之间的间隔宽度只够连接一根０．０８ｍｍ（０．００３″）宽度的电路。将许多多余的电源和接地触点分布到矩阵的周围，这样将提供对排列矩阵的有限渗透。这些较高Ｉ／Ｏ数的应用更可能决定于多层、盲孔或封闭的焊盘上的电镀旁路孔(ｖｉａ－ｏｎ－ｐａｄ)技术。
4、考虑封装技术
元件的环境与电气性能可能是与封装尺寸一样重要的问题。用于高密度、高Ｉ／Ｏ应用的封装技术首先必须满足环境标准。例如，那些使用刚性内插器(ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ)结构的、由陶瓷或有机基板制造的不能紧密地配合硅芯片的外形。元件四周的引线接合座之间的互连必须流向内面。μＢＧＡ* 封装结构的一个实际优势是它在硅芯片模块外形内提供所有电气界面的能力。
μＢＧＡ使用一种高级的聚酰胺薄膜作为其基体结构，并且使用半加成铜电镀工艺来完成芯片上铝接合座与聚酰胺内插器上球接触座之间的互连。依顺材料的独特结合使元件能够忍受极端恶劣的环境。这种封装已经由一些主要的ＩＣ制造商用来满足具有广泛运作环境的应用。
超过２０家主要的ＩＣ制造商和封装服务提供商已经采用了μＢＧＡ封装。定义为“面朝下”的封装，元件外形密切配合芯片模块的外形，芯片上的铝接合焊盘放于朝向球接触点和ＰＣＢ表面的位置。这种结构在工业中有最广泛的认同，因为其建立的基础结构和无比的可靠性。μＢＧＡ封装的材料与引脚设计的独特系统是在物理上顺应的，补偿了硅芯片与ＰＣＢ结构的温度膨胀系统的较大差别。
5、安装座计划
推荐给ＢＧＡ元件的安装座或焊盘的几何形状通常是圆形的，可以调节直径来满足接触点间隔和尺寸的变化。焊盘直径应该不大于封装上接触点或球的直径，经常比球接触点规定的正常直径小１０％。在最后确定焊盘排列与几何形状之前，参考ＩＰＣ－ＳＭ－７８２第１４．０节或制造商的规格。
有两种方法用来定义安装座：定义焊盘或铜，定义阻焊，如图三所示。
图三、ＢＧＡ的焊盘可以通过化学腐蚀的图案来界定，
无阻焊层或有阻焊层叠加在焊盘圆周上（阻焊层界定）
铜定义焊盘图形 － 通过腐蚀的铜界定焊盘图形。阻焊间隔应该最小离腐蚀的铜焊盘０．０７５ｍｍ。对要求间隔小于所推荐值的应用，咨询印制板供应商。
阻焊定义焊盘图形 － 如果使用阻焊界定的图形，相应地调整焊盘直径，以保证阻焊的覆盖。
ＢＧＡ元件上的焊盘间隔活间距是“基本的”，因此是不累积的；可是，贴装精度和ＰＣＢ制造公差必须考虑。如前面所说的，ＢＧＡ的焊盘一般是圆形的、阻焊界定或腐蚀阻焊脱离焊盘 界定的。虽然较大间距的ＢＧＡ将接纳电路走线的焊盘之间的间隔，较高Ｉ／Ｏ的元件将依靠电镀旁路孔来将电路走到次表面层。表七所示的焊盘几何形状推荐一个与名义标准接触点或球的直径相等或稍小的直径。
表七、 BGA元件安装的焊盘图形
接触点间距
（基本的） 标准球直径 焊盘直径 (mm)
最小 名义 最大 最小 - 最大
0.05 0.25 0.30 0.35 0.25-0.30
0.65 0.25 0.30 0.35 0.25-0.30
0.65 0.35 0.40 0.45 0.35-0.40
0.80 0.25 0.30 0.35 0.25-0.30
0.80 0.35 0.40 0.45 0.35-0.40
0.80 0.45 0.50 0.55 0.40-0.50
1.00 0.55 0.60 0.65 0.50-0.60
1.27 0.70 0.75 0.80 0.60-0.70
1.50 0.70 0.75 0.80 0.60-0.70
有些公司企图为所有密间距的ＢＧＡ应用维持一个不变的接触点直径。可是，因为一些０．６５与０．８０ｍｍ接触点间距的元件制造商允许随意的球与接触点直径的变化，设计者应该在制定焊盘直径之前参考专门的供应商规格。较大的球与焊盘的直径可能限制较高Ｉ／Ｏ元件的电路布线。一些ＢＧＡ元件类型的焊盘几何形状可能不允许宽度足够容纳不止一条或两条电路的间隔。例如，０．５０ｍｍ间距的ＢＧＡ将不允许甚至一条大于０．００２″或０．００３″的电路。那些采用密间距ＢＧＡ封装变量的可能发现焊盘中的旁路孔(微型旁路孔)更加实际，特别如果元件密度高，必须减少电路布线。
6、装配工艺效率所要求的特征
为了采纳对密间距表面贴装元件(ＳＭＤ)的模板的精确定位，要求一些视觉或摄像机帮助的对中方法。全局定位基准点是用于准确的锡膏印刷的模板定位和在精确的ＳＭＤ贴装中作为参考点。模板印刷机的摄相机系统自动将板对准模板，达到准确的锡膏转移。
对于那些使用模板到电路板的自动视觉对中的系统，电路板的设计者必须在焊盘层的设计文件中提供至少两个全局基准点（图四）。在组合板的每一个装配单元内也必须提供局部基准点目标，以帮助自动元件贴装。另外，对于每一个密间距ＱＦＰ、ＴＳＯＰ和高Ｉ／Ｏ密间距ＢＧＡ元件，通常提供一或两个目标。
在所有位置推荐使用一个基准点的尺寸。虽然形状和尺寸可以对不同的应用分别对待，但是大多数设备制造商都认同１．０ｍｍ（０．０４０″）直径的实心点。该点必须没有阻焊层，以保证摄相机可以快速识别。除了基准点目标外，电路板必须包含一些定位孔，用于二次装配有关的操作。组合板应该提供两或三个定位孔，每个电路板报单元提供至少两个定位孔。通常，装配专家规定尺寸（０．６５ｍｍ是常见的），应该指定无电镀孔。
至于在锡膏印刷模板夹具上提供的基准点，一些系统检测模板的定面，而另一些则检测底面。模板上的全局基准点只是半腐蚀在模板的表面，用黑树脂颜料填充。
7、指定表面最终涂层
为元件的安装选择专门类型的表面最终涂镀方法可以提高装配工艺的效率，但是也可能影响ＰＣＢ的制造成本。在铜箔上电镀锡或锡／铅合金作为抗腐蚀层是非常常见的制造方法。选择性地去掉铜箔的减去法化学腐蚀 继续在ＰＣＢ工业广泛使用。因为锡／铅导线当暴露在１９５°Ｃ温度以上时变成液体，所以大多数使用回流焊接技术的表面贴装板都指定裸铜上的阻焊层(ＳＭＯＢＣ,ｓｏｌｄｅｒｍａｓｋ ｏｖｅｒ ｂａｒｅ ｃｏｐｐｅｒ)来保持阻焊材料下一个平坦均匀的表面。当处理ＳＭＯＢＣ板时，锡或锡／铅是化学剥离的，只留下铜导体和没有电镀的元件安装座。铜导体用环氧树脂或聚合物阻焊层涂盖，以防止对焊接有关工艺的暴露。虽然电路导线有阻焊层覆盖，设计者还必须为那些不被阻焊层覆盖的部分元件安装座 指定表面涂层。下面的例子是广泛使用在制造工业的合金电镀典型方法。
通常要求预处理安装座的应用是超密间距ＱＦＰ元件。例如，ＴＡＢ(ｔａｂｌｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄ)元件可能具有小于０．２５ｍｍ的引脚间距。通过在这些座上提供７００－８００μ″的锡／铅合金，装配专家可以上少量的助焊剂、贴装零件和使用加热棒、热风、激光或软束线光源来回流焊接该元件。在特殊的安装座上选择性地电镀或保留锡／铅合金将适用于超密间距ＴＡＢ封装的回流焊接。
使用热风均匀法，锡／铅在上阻焊层之后涂镀在电路板上。该工艺是，电镀的板经过清洗、上助焊剂和浸入熔化的焊锡中，当合金还是液体状态的时候，多余的材料被吹离表面，留下合金覆盖的表面。热风焊锡均匀ＨＡＳＬ(ｈｏｔ ａｉｒ ｓｏｌｄｅｒ ｌｅｖｅｌｉｎｇ)电镀工艺广泛使用，一般适合于回流焊接装配工艺；可是，焊锡量与平整度的不一致可能不适合于使用密间距元件的电路板。
密间距的ＳＱＦＰ、ＴＳＯＰ和ＢＧＡ元件要求非常均匀和平整的表面涂层。作为控制在密间距元件的安装座上均匀锡膏量的方法，表面必须尽可能地平整。为了保证平整度，许多公司在铜箔上使用镍合金，接着一层很薄的金合金涂层，来去掉氧化物。
在阻焊涂层工艺之后，在暴露的裸铜上使用无电镀镍／金。用这个工艺，制造商通常将使用锡／铅电镀图案作为抗腐蚀层，在腐蚀之后剥离锡／铅合金，但是不是对暴露的安装座和孔施用焊锡合金，而是电路板浸镀镍／金合金。
按照ＩＰＣ－２２２１标准《印制板设计的通用标准》，推荐的无电镀镍厚度是２．５－５．０μｍ(至少１．３μｍ)，而推荐的浸金厚度为０．０８－０．２３μｍ。
有关金的合金与焊接工艺的一句话忠告：如果金涂层厚度超过０．８μｍ（３μ″），那么金对锡／铅比率可能引起最终焊接点的脆弱。脆弱将造成温度循环中的过分开裂或装配后的板可能暴露到的其它物理应力。
8、合金电镀替代方案
在上阻焊层之后给板增加焊锡合金是有成本代价的，并且给基板遭受极大的应力条件。例如用锡／铅涂层，板插入熔化的焊锡中，然后抽出和用强风将多余的锡／铅材料去掉。温度冲击可能导致基板结构的脱层、损坏电镀孔和可能影响长期可靠性的缺陷。 Ｎｉ／Ａｕ涂镀，虽然应力较小，但不是所有电路板制造商都有的一种技术。作为对电镀的另一种选择，许多公司已经找到成功的、有经济优势的和平整的安装表面的方法，这就是有机保护层或在裸铜上与上助焊剂涂层。
作为阻止裸铜安装座和旁通孔／测试焊盘上氧化增长的一个方法，将一种特殊的保护剂或阻化剂涂层应用到板上。诸如苯并三唑（Ｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ）和咪唑（Ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）这些有机／氮涂层材料被用来取代上面所描述的合金表面涂层，可从几个渠道购买到，不同的商标名称。在北美洲，广泛使用的一种产品是ＥＮＴＥＫ ＰＬＵＳ ＣＵ－１０６Ａ。这种涂层适合于大多数有机助焊焊接材料，在对装配工艺中经常遇到的三、四次高温暴露之后仍有保护特征。多次暴露的能力是重要的。当ＳＭＤ要焊接到装配的主面和第二面的时候，会发生两次对回流焊接温度的暴露。混合技术典型的多次装配步骤也可能包括对波峰焊接或其它焊接工艺的暴露。
9、一般成本考虑
与ＰＣＢ电镀或涂镀有关的成本不总是详细界定的。一些供应商感觉方法之间的成本差别占总的单位成本中的很小部分，所以界不界定是不重要的。其他的可能对不是其能力之内的成本有一个额外的费用，因为板必须送出去最后加工。例如，在加州的一家公司将板发送给在德州的一家公司进行Ｎｉ／Ａｕ电镀。这个额外处理的费用可能没有清晰地界定为对客户的一个额外开支；可是，总的板成本受到影响。
每一个电镀和涂镀工艺都有其优点与缺点。设计者与制造工程师必须通过试验或工艺效率评估仔细地权衡每一个因素。在指定ＰＣＢ制造是必须考虑的问题都有经济以及工艺上的平衡。对于细导线、高元件密度或密间距技术与μＢＧＡ，平整的外形是必须的。焊盘表面涂层可以是电镀的或涂敷的，但必须考虑装配工艺与经济性。
在所有涂敷和电镀的选择中，Ｎｉ／Ａｕ是最万能的(只要金的厚度低于５μ″)。电镀工艺比保护性涂层好的优势是货架寿命、永久性地覆盖在那些不暴露到焊接工艺的旁路孔或其它电路特征的铜上面、和抗污染。虽然表面涂层特性之间的平衡将影响最终选择，但是可行性与总的ＰＣＢ成本最可能决定最后的选择。在北美，ＨＡＳＬ工艺传统上主宰ＰＣＢ工业，但是表面的均匀性难于控制。对于密间距元件的焊接，一个受控的装配工艺取决于一个平整均匀的安装座。密间距元件包括ＴＳＯＰ、ＳＱＦＰ和μＢＧＡ元件族。如果密间距元件在装配中不使用，使用ＨＡＳＬ工艺是可行的选择。
10、阻焊层（sldermask)要求
阻焊层在控制回流焊接工艺期间的焊接缺陷中的角色是重要的，ＰＣＢ设计者应该尽量减小焊盘特征周围的间隔或空气间隙。虽然许多工艺工程师宁可阻焊层分开板上所有焊盘特征，但是密间距元件的引脚间隔与焊盘尺寸将要求特殊的考虑。虽然在四边的ＱＦＰ上不分区的阻焊层开口或窗口可能是可接受的，但是控制元件引脚之间的锡桥可能更加困难。对于ＢＧＡ的阻焊层，许多公司提供一种阻焊层，它不接触焊盘，但是覆盖焊盘之间的任何特征，以防止锡桥。多数表面贴装的ＰＣＢ以阻焊层覆盖，但是阻焊层的涂敷，如果厚度大于０．０４ｍｍ（０．００１５″），可能影响锡膏的应用。表面贴装ＰＣＢ，特别是那些使用密间距元件的，都要求一种低轮廓感光阻焊层。阻焊材料必须通过液体湿 工艺或者干薄膜叠层来使用。干薄膜阻焊材料是以０．０７－０．１０ｍｍ（０．００３－０．００４″）厚度供应的，可适合于一些表面贴装产品，但是这种材料不推荐用于密间距应用。很少公司提供薄到可以满足密间距标准的干薄膜，但是有几家公司可以提供液体感光阻焊材料。通常，阻焊的开口应该比焊盘大０．１５ｍｍ（０．００６″）。这允许在焊盘所有边上０．０７ｍｍ(０．００３″)的间隙。低轮廓的液体感光阻焊材料是经济的，通常指定用于表面贴装应用，提供精确的特征尺寸和间隙。
结论
密间距(ｆｉｎｅ－ｐｉｔｃｈ)、ＢＧＡ和ＣＳＰ的装配工艺可以调整到满足可接受的效率水平，但是弯曲的引脚和锡膏印刷的不持续性经常给装配工艺合格率带来麻烦。虽然使用小型的密间距元件提供布局的灵活性，但是将很复杂的多层基板报上的元件推得更近，可能牺牲可测试性和修理。ＢＧＡ元件的使用已经提供较高的装配工艺合格率和更多的布局灵活性，提供较紧密的元件间隔与较短的元件之间的电路。一些公司正企图将几个电路功能集成到一两个多芯片的ＢＧＡ元件中来释放面积的限制。用户化的或专用的ＩＣ可以缓解ＰＣＢ的栅格限制，但是较高的Ｉ／Ｏ数与较密的引脚间距一般都会迫使设计者使用更多的电路层，因此增加ＰＣＢ制造的复杂性与成本。
芯片规模的ＢＧＡ封装被许多人看作是新一代手持与便携式电子产品空间限制的可行答案。许多公司也正在期待改进的功能以及更高的性能。当为这些元件选择最有效的接触点间距时，必须考虑硅芯片模块的尺寸、信号的数量、所要求的电源与接地点和在印制板上采用这些元件时的实际限制。虽然密间距的芯片规模(ｃｈｉｐ ｓｃａｌｅ)与芯片大小的元件被看作是新出现的技术，但是主要的元件供应商和几家主要的电子产品制造商已经采用了一两种ＣＳＰ的变化类型。在较小封装概念中的这种迅速增长是必须的，它满足产品开发商对减小产品尺寸、增加功能并且提高性能的需求。
第二篇 抗干扰3（部分）
3 提高敏感器件的抗干扰性能
提高敏感器件的抗干扰性能是指从敏感器件这边考虑尽量减少对干扰噪声
的拾取，以及从不正常状态尽快恢复的方法。
提高敏感器件抗干扰性能的常用措施如下：
（1）布线时尽量减少回路环的面积，以降低感应噪声。
（2）布线时，电源线和地线要尽量粗。除减小压降外，更重要的是降低耦
合噪声。
（3）对于单片机闲置的I/O口，不要悬空，要接地或接电源。其它IC的闲置
端在不改变系统逻辑的情况下接地或接电源。
（4）对单片机使用电源监控及看门狗电路，如：IMP809，IMP706，IMP813，
X25043，X25045等，可大幅度提高整个电路的抗干扰性能。
（5）在速度能满足要求的前提下，尽量降低单片机的晶振和选用低速数字
电路。
（6）IC器件尽量直接焊在电路板上，少用IC座。
第三篇 印制电路板的可靠性设计-去耦电容配置
在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：
●电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。
●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
●去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
第四篇 电磁兼容性和PCB设计约束（缺具体数据）
PCB布线对PCB的电磁兼容性影响很大，为了使PCB上的电路正常工作，应根据本文所述的约束条件来优化布线以及元器件/接头和某些IC所用去耦电路的布局
（一）、PCB材料的选择
通过合理选择PCB的材料和印刷线路的布线路径，可以做出对其它线路耦合低的传输线。当传输线导体间的距离d小于同其它相邻导体间的距离时，就能做到更低的耦合，或者更小的串扰（见《电子工程专辑》2000年第1期"应用指南"）。
设计之前，可根据下列条件选择最经济的PCB形式：
对EMC的要求
?印制板的密集程度
?组装与生产的能力
?CAD系统能力
?设计成本
?PCB的数量
?电磁屏蔽的成本
当采用非屏蔽外壳产品结构时，尤其要注意产品的整体成本/元器件封装/管脚样式、PCB形式、电磁场屏蔽、构造和组装），在许多情况下，选好合适的PCB形式可以不必在塑胶外壳里加入金属屏蔽盒。
为了提高高速模拟电路和所有数字应用的抗扰性同时减少有害辐射，需要用到传输线技术。根据输出信号的转换情况，S-VCC、S-VEE及VEE-VCC之间的传输线需要表示出来，如图1所示。
信号电流由电路输出级的对称性决定。对MOS而言IOL=IOH,而对TTL而言IOL＞IOH.
功能/逻辑类型 ZO(Ω)
电源（典型值） ＜＜10
ECL逻辑 50
TTL逻辑 100
HC(T)逻辑 200
表1：几种信号路径的传输线阻抗ZO。
逻辑器件类型和功能上的原因决定了传输线典型特征阻抗ZO，如表1所示。
图1：显示三种特定传输线的（数字）IC之间典型互联图
图2：IC去耦电路。
图3：正确的去耦电路块
表2：去耦电容Cdec..的推荐值。
逻辑电路噪声容限
（二）、信号线路及其信号回路
传送信号的线路要与其信号回路尽可能靠近，以防止这些线路包围的环路区域产生辐射，并降低环路感应电压的磁化系数。
一般情况下，当两条线路间的距离等于线宽时，耦合系数大约为0.5到0.6，线路的有效自感应从1μH/m降到0.4-0.5μ H/m.
这就意味着信号回路电流的40％到50％自由地就流向了PCB上其它线路。
对两个（子）电路块间的每一块信号路径，无论是模拟的还是数字的，都可以用三种传输线来表示，如图1所示，其中阻抗可从表1得到。
TTL逻辑电路由高电平向低电平转换时，吸收电流会大于电源电流以，在这种情况下，通常将传输线定义在Vcc和S之间，而不是VEE和S之间。通过采用铁氧体磁环可完全控制信号线和信号回路线上的电流。
在平行导体情况下，传输线的特征阻抗会因为铁氧体而受到影响，而在同轴电缆的情况下，铁氧体只会对电缆的外部参数有影响。
因此，相邻线路应尽可能细，而上下排列的则相反（通常距离小于1.5mm/双层板中环氧树脂的厚度）。布线应使每条信号线和它的信号回路尽可能靠近（信号和电源布线均适用）。如果传输线导体间耦合不够，可采用铁氧体磁环。
（三）、IC的去耦
通常IC仅通过电容来达到去耦的目的，因为电容并不理想，所以会产生谐振。在大于谐振频率时，电容表现得象个电感，这就意味着di/dt受到了限制。电容的值由IC管脚间允许的电源电压波动来决定，根据资深设计人员的实践经验，电压波动应小于信号线最坏状况下的噪声容限的25％，下面公式可计算出每种逻辑系列输出门电路的最佳去耦电容值：
I=c?dV/dt
表2给出了几种逻辑系列门电路在最坏情况下信号线噪声的容限，同时还给出每个输出级应加的去耦电容Cdec.的推荐值。
图4：PCB上环路的辐射
对快速逻辑电路来说，如果去耦电容含有很大串联电感（这种电感也许是由电容的结构、长的连接线或PCB的印制线路造成的），电容的值可能不再有用。这时则需要在尽可能靠近IC管脚的地方加入另外一个小陶瓷电容（100-100Pf）,与"LF-"去耦电容并联。陶瓷电容的谐振频率（包括到IC电源管脚的线路长度）应高于逻辑电路的带宽[1/(π.τr)],其中，τr是逻辑电路中电压的上升时间。
如果每个IC都有去耦电容，信号回路电流可选择最方便的路径，VEE或者VCC，这可以由传送信号的线路和电源线路间的互耦来决定。
在两个去耦电容（每个IC一个）和电源线路形成的电感Ltrace之间，会形成串联谐振电路，这种谐振只可以发生在低频（＜1MHz＝或谐振电路的Q值较低（＜2＝的情况下。
通过将高射频损耗扼流线圈串联在Vcc网络和要去耦的IC中，可使谐振频率保持在1MHz以下，如果射频损耗太低可通过并联或串联电阻来补偿（图2）。
扼流线圈应该总是采用封闭的内芯，否则它会成为一个射频发射器或磁场铁感应器。
例如：1MHz*1μHz Z1=6.28Ω Rs=3.14Ω Q<2 Rp=12.56Ω
大于谐振频率时，"传输线"的特征阻抗Z0（此时将IC的阻抗看作电源负载）等于：Z0 =（Ltrace/Cdecoupling）的平方根
去耦电容的串联电感和连接线路的电感对射频电源电流分配没有多大影响，比如采用了一个1μH扼流线圈的情况。但它仍然会决定IC电源管脚间的电压波动，表3给出了电源信噪容限为25％时，推荐的最大电感值Ltrace.根据图2所建议的去耦方法，两个IC间的传输线数量从3条减少到了1条（见图3）。
因此，对每个IC采用适当的去耦方法：Lchoke+Cdec.电路块间就只需定义一条传输线。
对于τr<3ns的高速逻辑电路，与去耦电容串联的全部电感必须要很低（见表3）。与电源管脚串联的50mm印制线路相当于一个50hH电感，与输出端的负载（典型值为50pF）一起决定了最小上升时间为3.2ns。如要求更快的上升时间，就必须缩短去耦电容的引脚。长度（最好无引脚）并缩短IC封装的引脚，例如可以用IC去耦电容，或最好采用将（电源）管脚在中间的IC与很小的3E间距（DIL）无引脚陶瓷电容相结合等方法来达到这一目的，也可以用带电源层和接地层的多层电路板。另外采用电源管脚在中间的SO封装还可得到进一步的改善。但是，使用快速逻辑电路时，应采用多层电路板。
（四）、根据辐射决定环路面积
无终点传输线的反射情况决定了线路的最大长度。由于对产品的EM辐射有强制性要求，因此环路区域的面积和线路长度都受到限制，如果采用非屏蔽外壳，这种限制将直接由PCB来实现。
注意：如果在异步逻辑电路设计中采用串联端接负载，必须要注意会出现准稳性，特别是对称逻辑输入电路无法确定输入信号是高还是低，而且可能会导致非定义输出情况。
图3：正确的去耦电路块。
对于频域中的逻辑信号，频谱的电流幅度在超出逻辑信号带宽（=1/π.τr）的频率上与频率的平方成反比。用角频率表示，环路的辐射阻抗仍随频率平方成正比。因而可计算出最大的环路面积，它由时钟速率或重复速率、逻辑信号的上升时间或带宽以及时域的电流幅度决定。电流波形由电压波形决定，电流半宽时间约等于电压的上升时间。
电流幅度可用角频率（=1/π.τr）表示为： I(f)=2.I. τr/T
其中： I=为时域电流幅度；T=为时钟速率的倒数，即周期；
τr为电压的上升时间，约等于电流半宽时间τH。
从这一等式可计算出某种逻辑系列电路在某一时钟速率下最大环路面积，表5给出了相应的环路面积。最大环路面积由时钟速率、逻辑电路类型（=输出电流）和PCB上同时存在的开关环路数量n决定。
如果所用的时钟速率超过30MHz，就必须要采用多层电路板，在这种情况下，环氧树脂的厚度与层数有关，在60至300μm之间。只有当PCB上的高速时钟信号的数量有限时，通过采用层到层的线路进行仔细布线，也可在双层板上得到可以接受的结果。
注意：在这种情况下，如采用普通DIL封装，则会超过环路面积的限制，一定要有另外的屏蔽措施和适当的滤波。
所有连接到其它面板及部件的连接头必须尽可能相互靠近放置，这样在电缆中传导的共模电流就不会流入PCB电路中的线路，另外，PCB上参考点间的电压降也无法激励（天线）电缆。
为避免这种共模影响，必须使靠近接头的参考地和PCB上电路的接地层、接地网格或电路参考地隔开，如果可能，这些接地片应接到产品的金属外壳上。从这个接地片上，只有高阻器件如电感、电阻、簧片继电器和光耦合器可接在两个地之间。所有的接头要尽可能靠近放置，以防止外部电流流过PCB上的线路或参考地。
（五）、电缆及接头的正确选择
电缆的选择由流过电缆的信号幅度和频率成分决定。对于位于产品外部的电缆来说，如果传送10kHz以上时钟速率的数据信号，则一定要用到屏蔽（产品要求），屏蔽部分应在电缆的两端连接到地（金属外壳产品），这样能确保对电场和磁场都进行屏蔽。
如果用的是分开接地，则应连到"接头地"而不是"电路地"。
如果时钟速率在10kHz到1MHz之间，并且逻辑电路的上升时间尽可能保持低，将可以得到80％以上的光覆盖或小于10Nh/m的转移阻抗。如果时钟速率超过1MHz时，就需要更好的屏蔽电缆。
通常，除同轴电缆外，电缆的屏蔽不应用作为信号回路。
通过在信号输入/输出和地/参考点之间串入无源滤波器以减少射频成分，可以不必采用高质量屏蔽和相应接头。好的屏蔽电缆应配备合适的
本文介绍，许多人把芯片规模的ＢＧＡ封装看作是由便携式电子产品所需的空间限制的一个可行的解决方案，它同时满足这些产品更高功能与性能的要求。为便携式产品的高密度电路设计应该为装配工艺着想。
当为今天价值推动的市场开发电子产品时，性能与可靠性是最优先考虑的。为了在这个市场上竞争，开发者还必须注重装配的效率，因为这样可以控制制造成本。电子产品的技术进步和不断增长的复杂性正产生对更高密度电路制造方法的需求。当设计要求表面贴装、密间距和向量封装的集成电路ＩＣ 时，可能要求具有较细的线宽和较密间隔的更高密度电路板。可是，展望未来，一些已经在供应微型旁路孔、序列组装电路板的公司正大量投资来扩大能力。这些公司认识到便携式电子产品对更小封装的目前趋势。单是通信与个人计算产品工业就足以领导全球的市场。
高密度电子产品的开发者越来越受到几个因素的挑战：物理复杂元件上更密的引脚间隔 、财力贴装必须很精密 、和环境许多塑料封装吸潮，造成装配处理期间的破裂 。物理因素也包括安装工艺的复杂性与最终产品的可靠性。进一步的财政决定必须考虑产品将如何制造和装配设备效率。较脆弱的引脚元件，如０．５０与０．４０ｍｍ０．０２０″与０．０１６″ 引脚间距的ＳＱＦＰｓｈｒｉｎｋ ｑｕａｄ ｆｌａｔ ｐａｃｋ ，可能在维护一个持续的装配工艺合格率方面向装配专家提出一个挑战。最成功的开发计划是那些已经实行工艺认证的电路板设计指引和工艺认证的焊盘几何形状。
在环境上，焊盘几何形状可能不同，它基于所用的安装电子零件的焊接类型。可能的时候，焊盘形状应该以一种对使用的安装工艺透明的方式来定义。不管零件是安装在板的一面或两面、经受波峰、回流或其它焊接，焊盘与零件尺寸应该优化，以保证适当的焊接点与检查标准。虽然焊盘图案是在尺寸上定义的，并且因为它是印制板电路几何形状的一部分，它们受到可生产性水平和与电镀、腐蚀、装配或其它条件有关的公差的限制。生产性方面也与阻焊层的使用和在阻焊与导体图案之间的对齐定位有关。
1、焊盘的要求
国际电子技术委员会ＩＥＣ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ 的６１１８８标准认识到对焊接圆角或焊盘凸起条件的不同目标的需要。这个新的国际标准确认两个为开发焊盘形状提供信息的基本方法：
１)．基于工业元件规格、电路板制造和元件贴装精度能力的准确资料。这些焊盘形状局限于一个特定的元件，有一个标识焊盘形状的编号。
２)．一些方程式可用来改变给定的信息，以达到一个更稳健的焊接连接，这是用于一些特殊的情况，在这些情况中用于贴装或安装设备比在决定焊盘细节时所假设的精度有或多或少的差别。
该标准为用于贴装各种引脚或元件端子的焊盘定义了最大、中等和最小材料情况。除非另外标明，这个标准将所有三中“希望目标”标记为一级、二级或三级。
一级：最大 － 用于低密度产品应用，“最大”焊盘条件用于波峰或流动焊接无引脚的片状元件和有引脚的翅形元件。为这些元件以及向内的″Ｊ″型引脚元件配置的几何形状可以为手工焊接和回流焊接提供一个较宽的工艺窗口。
二级：中等 － 具有中等水平元件密度的产品可以考虑采用这个“中等”的焊盘几何形状。与ＩＰＣ－ＳＭ－７８２标准焊盘几何形状非常相似，为所有元件类型配置的中等焊盘将为回流焊接工艺提供一个稳健的焊接条件，并且应该为无引脚元件和翅形引脚类元件的波峰或流动焊接提供适当的条件。
三级：最小 － 具有高元件密度的产品通常是便携式产品应用 可以考虑“最小”焊盘几何形状。最小焊盘几何形状的选择可能不适合于所有的产品。在采用最小的焊盘形状之前，使用这应该考虑产品的限制条件，基于表格中所示的条件进行试验。
在ＩＰＣ－ＳＭ－７８２中所提供的以及在ＩＥＣ６１１８８中所配置的焊盘几何形状应该接纳元件公差和工艺变量。虽然在ＩＰＣ标准中的焊盘已经为使用者的多数装配应用提供一个稳健的界面，但是一些公司已经表示了对采用最小焊盘几何形状的需要，以用于便携式电子产品和其它独特的高密度应用。
国际焊盘标准(ＩＥＣ６１１８８)了解到更高零件密度应用的要求，并提供用于特殊产品类型的焊盘几何形状的信息。这些信息的目的是要提供适当的表面贴装焊盘的尺寸、形状和公差，以保证适当焊接圆角的足够区域，也允许对这些焊接点的检查、测试和返工。
图一和表一所描述的典型的三类焊盘几何形状是为每一类元件所提供的：最大焊盘(一级)、中等焊盘(二级)和最小焊盘(三级)。
图一、两个端子的、矩形电容与电阻元件的IEC标准可以不同以满足特殊产品应用
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 0.6 0.4 0.2
脚跟-焊盘突出 0.0 0.0 0.0
侧面-焊盘突出 0.1 0.0 0.0
开井余量 0.5 0.25 0.05
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
表一、矩形与方形端的元件
(陶瓷电容与电阻) (单位:mm)
焊接点的脚趾、脚跟和侧面圆角必须针对元件、电路板和贴装精度偏差的公差平方和 。如图二所示，最小的焊接点或焊盘突出是随着公差变量而增加的（表二）。
图二、带状翅形引脚元件的IEC标准定义了三种可能的变量以满足用户的应用
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 0.8 0.5 0.2
脚跟-焊盘突出 0.5 0.35 0.2
侧面-焊盘突出 0.05 0.05 0.03
开井余量 0.5 0.25 0.05
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
表二、平带L形与翅形引脚
(大于0.625mm的间距) (单位:mm)
如果这些焊盘的用户希望对贴装和焊接设备有一个更稳健的工艺条件，那么分析中的个别元素可以改变到新的所希望的尺寸条件。这包括元件、板或贴装精度的扩散，以及最小的焊接点或焊盘突出的期望（表３，４，５和６）。
用于焊盘的轮廓公差方法的方式与元件的类似。所有焊盘公差都是要对每一个焊盘以最大尺寸提供一个预计的焊盘图形。单向公差是要减小焊盘尺寸，因此得当焊接点形成的较小区域。为了使开孔的尺寸标注系统容易，焊盘是跨过内外极限标注尺寸的。
在这个标准中，尺寸标注概念使用极限尺寸和几何公差来描述焊盘允许的最大与最小尺寸。当焊盘在其最大尺寸时，结果可能是最小可接受的焊盘之间的间隔；相反，当焊盘在其最小尺寸时，结果可能是最小的可接受焊盘，需要达到可靠的焊接点。这些极限允许判断焊盘通过／不通过的条件。
假设焊盘几何形状是正确的，并且电路结构的最终都满足所有规定标准，焊接缺陷应该可以减少；尽管如此，焊接缺陷还可能由于材料与工艺变量而发生。为密间距ｆｉｎｅ ｐｉｔｃｈ 开发焊盘的设计者必须建立一个可靠的焊接连接所要求的最小脚尖与脚跟，以及在元件封装特征上允许最大与最小或至少 的材料条件。
表三、J形引脚 (单位:mm)
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 0.2 0.2 0.2
脚跟-焊盘突出 0.8 0.6 0.4
侧面-焊盘突出 0.1 0.05 0.0
开井余量 1.5 0.8 0.2
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
表四、圆柱形端子（MELF） (单位:mm)
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 1.0 0.4 0.2
脚跟-焊盘突出 0.2 0.1 0.0
侧面-焊盘突出 0.2 0.1 0.0
开井余量 0.2 0.25 0.25
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
表五、只有底面的端子 (单位:mm)
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 0.2 0.1 0
脚跟-焊盘突出 0.2 0.1 0
侧面-焊盘突出 0.2 0.1 0
开井余量 0.25 0.1 0.05
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
表六、内向L形带状引脚 (单位:mm)
焊盘特性 最大一级 中等二级 最小三级
脚趾-焊盘突出 0.1 0.1 0.0
脚跟-焊盘突出 1.0 0.5 0.2
侧面-焊盘突出 0.1 0.1 0.1
开井余量 0.5 0.25 0.05
圆整因素 最近0.5 最近0.05 最近0.05
2、BGA与CAP
ＢＧＡ封装已经发展到满足现在的焊接安装技术。塑料与陶瓷ＢＧＡ元件具有相对广泛的接触间距（１．５０，１．２７和１．００ｍｍ），而相对而言，芯片规模的ＢＧＡ栅格间距为０．５０，０．６０和０．８０ｍｍ。ＢＧＡ与密间距ＢＧＡ元件两者相对于密间距引脚框架封装的ＩＣ都不容易损坏，并且ＢＧＡ标准允许选择性地减少接触点，以满足特殊的输入／输出（Ｉ／Ｏ）要求。当为ＢＧＡ元件建立接触点布局和引线排列时，封装开发者必须考虑芯片设计以及芯片块的尺寸和形状。在技术引线排列时的另一个要面对的问题是芯片的方向芯片模块的焊盘向上或向下 。芯片模块“面朝上”的结构通常是当供应商正在使用ＣＯＢ（ｃｈｉｐ－ｏｎ－ｂｏａｒｄ）（内插器）技术时才采用的。
元件构造，以及在其制造中使用的材料结合，不在这个工业标准与指引中定义。每一个制造商都将企图将其特殊的结构胜任用户所定义的应用。例如消费产品可能有一个相对良好的工作环境，而工业或汽车应用的产品经常必须运行在更大的压力条件下。取决于制造ＢＧＡ所选择材料的物理特性，可能要使用到倒装芯片或引线接合技术。因为芯片安装结构是刚性材料，芯片模块安装座一般以导体定中心，信号从芯片模块焊盘走入接触球的排列矩阵。
在该文件中详细叙述的栅格阵列封装外形在ＪＥＤＥＣ的９５出版物中提供。方形ＢＧＡ，ＪＥＤＥＣ ＭＳ－０２８定义一种较小的矩形塑料ＢＧＡ元件类别，接触点间隔为１．２７ｍｍ。该矩阵元件的总的外形规格允许很大的灵活性，如引脚间隔、接触点矩阵布局与构造。ＪＥＤＥＣ ＭＯ－１５１定义各种塑料封装的ＢＧＡ。方形轮廓覆盖的尺寸从７．０－５０．０，三种接触点间隔 － １．５０，１．２７和１．００ｍｍ。
球接触点可以单一的形式分布，行与列排列有双数或单数。虽然排列必须保持对整个封装外形的对称，但是各元件制造商允许在某区域内减少接触点的位置。
3、芯片规模的BGA变量
针对“密间距”和“真正芯片大小”的ＩＣ封装，最近开发的ＪＥＤＥＣ ＢＧＡ指引提出许多物理属性，并为封装供应商提供“变量”形式的灵活性。ＪＥＤＥＣ ＪＣ－１１批准的第一份对密间距元件类别的文件是注册外形ＭＯ－１９５，具有基本０．５０ｍｍ间距接触点排列的统一方形封装系列。
封装尺寸范围从４．０－２１．０ｍｍ，总的高度(定义为“薄的轮廓”)限制到从贴装表面最大为１．２０ｍｍ。下面的例子代表为将来的标准考虑的一些其它变量。
球间距与球尺寸将也会影响电路布线效率。许多公司已经选择对较低Ｉ／Ｏ数的ＣＳＰ不采用０．５０ｍｍ间距。较大的球间距可能减轻最终用户对更复杂的印刷电路板(ＰＣＢ)技术的需求。
０．５０ｍｍ的接触点排列间隔是ＪＥＤＥＣ推荐最小的。接触点直径规定为０．３０ｍｍ，公差范围为最小０．２５、最大０．３５ｍｍ。可是大多数采用０．５０ｍｍ间距的ＢＧＡ应用将依靠电路的次表面布线。直径上小至０．２５ｍｍ的焊盘之间的间隔宽度只够连接一根０．０８ｍｍ（０．００３″）宽度的电路。将许多多余的电源和接地触点分布到矩阵的周围，这样将提供对排列矩阵的有限渗透。这些较高Ｉ／Ｏ数的应用更可能决定于多层、盲孔或封闭的焊盘上的电镀旁路孔(ｖｉａ－ｏｎ－ｐａｄ)技术。
4、考虑封装技术
元件的环境与电气性能可能是与封装尺寸一样重要的问题。用于高密度、高Ｉ／Ｏ应用的封装技术首先必须满足环境标准。例如，那些使用刚性内插器(ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ)结构的、由陶瓷或有机基板制造的不能紧密地配合硅芯片的外形。元件四周的引线接合座之间的互连必须流向内面。μＢＧＡ* 封装结构的一个实际优势是它在硅芯片模块外形内提供所有电气界面的能力。
μＢＧＡ使用一种高级的聚酰胺薄膜作为其基体结构，并且使用半加成铜电镀工艺来完成芯片上铝接合座与聚酰胺内插器上球接触座之间的互连。依顺材料的独特结合使元件能够忍受极端恶劣的环境。这种封装已经由一些主要的ＩＣ制造商用来满足具有广泛运作环境的应用。
超过２０家主要的ＩＣ制造商和封装服务提供商已经采用了μＢＧＡ封装。定义为“面朝下”的封装，元件外形密切配合芯片模块的外形，芯片上的铝接合焊盘放于朝向球接触点和ＰＣＢ表面的位置。这种结构在工业中有最广泛的认同，因为其建立的基础结构和无比的可靠性。μＢＧＡ封装的材料与引脚设计的独特系统是在物理上顺应的，补偿了硅芯片与ＰＣＢ结构的温度膨胀系统的较大差别。
5、安装座计划
推荐给ＢＧＡ元件的安装座或焊盘的几何形状通常是圆形的，可以调节直径来满足接触点间隔和尺寸的变化。焊盘直径应该不大于封装上接触点或球的直径，经常比球接触点规定的正常直径小１０％。在最后确定焊盘排列与几何形状之前，参考ＩＰＣ－ＳＭ－７８２第１４．０节或制造商的规格。
有两种方法用来定义安装座：定义焊盘或铜，定义阻焊，如图三所示。
图三、ＢＧＡ的焊盘可以通过化学腐蚀的图案来界定，
无阻焊层或有阻焊层叠加在焊盘圆周上（阻焊层界定）
铜定义焊盘图形 － 通过腐蚀的铜界定焊盘图形。阻焊间隔应该最小离腐蚀的铜焊盘０．０７５ｍｍ。对要求间隔小于所推荐值的应用，咨询印制板供应商。
阻焊定义焊盘图形 － 如果使用阻焊界定的图形，相应地调整焊盘直径，以保证阻焊的覆盖。
ＢＧＡ元件上的焊盘间隔活间距是“基本的”，因此是不累积的；可是，贴装精度和ＰＣＢ制造公差必须考虑。如前面所说的，ＢＧＡ的焊盘一般是圆形的、阻焊界定或腐蚀阻焊脱离焊盘 界定的。虽然较大间距的ＢＧＡ将接纳电路走线的焊盘之间的间隔，较高Ｉ／Ｏ的元件将依靠电镀旁路孔来将电路走到次表面层。表七所示的焊盘几何形状推荐一个与名义标准接触点或球的直径相等或稍小的直径。
表七、 BGA元件安装的焊盘图形
接触点间距
（基本的） 标准球直径 焊盘直径 (mm)
最小 名义 最大 最小 - 最大
0.05 0.25 0.30 0.35 0.25-0.30
0.65 0.25 0.30 0.35 0.25-0.30
0.65 0.35 0.40 0.45 0.35-0.40
0.80 0.25 0.30 0.35 0.25-0.30
0.80 0.35 0.40 0.45 0.35-0.40
0.80 0.45 0.50 0.55 0.40-0.50
1.00 0.55 0.60 0.65 0.50-0.60
1.27 0.70 0.75 0.80 0.60-0.70
1.50 0.70 0.75 0.80 0.60-0.70
有些公司企图为所有密间距的ＢＧＡ应用维持一个不变的接触点直径。可是，因为一些０．６５与０．８０ｍｍ接触点间距的元件制造商允许随意的球与接触点直径的变化，设计者应该在制定焊盘直径之前参考专门的供应商规格。较大的球与焊盘的直径可能限制较高Ｉ／Ｏ元件的电路布线。一些ＢＧＡ元件类型的焊盘几何形状可能不允许宽度足够容纳不止一条或两条电路的间隔。例如，０．５０ｍｍ间距的ＢＧＡ将不允许甚至一条大于０．００２″或０．００３″的电路。那些采用密间距ＢＧＡ封装变量的可能发现焊盘中的旁路孔(微型旁路孔)更加实际，特别如果元件密度高，必须减少电路布线。
6、装配工艺效率所要求的特征
为了采纳对密间距表面贴装元件(ＳＭＤ)的模板的精确定位，要求一些视觉或摄像机帮助的对中方法。全局定位基准点是用于准确的锡膏印刷的模板定位和在精确的ＳＭＤ贴装中作为参考点。模板印刷机的摄相机系统自动将板对准模板，达到准确的锡膏转移。
对于那些使用模板到电路板的自动视觉对中的系统，电路板的设计者必须在焊盘层的设计文件中提供至少两个全局基准点（图四）。在组合板的每一个装配单元内也必须提供局部基准点目标，以帮助自动元件贴装。另外，对于每一个密间距ＱＦＰ、ＴＳＯＰ和高Ｉ／Ｏ密间距ＢＧＡ元件，通常提供一或两个目标。
在所有位置推荐使用一个基准点的尺寸。虽然形状和尺寸可以对不同的应用分别对待，但是大多数设备制造商都认同１．０ｍｍ（０．０４０″）直径的实心点。该点必须没有阻焊层，以保证摄相机可以快速识别。除了基准点目标外，电路板必须包含一些定位孔，用于二次装配有关的操作。组合板应该提供两或三个定位孔，每个电路板报单元提供至少两个定位孔。通常，装配专家规定尺寸（０．６５ｍｍ是常见的），应该指定无电镀孔。
至于在锡膏印刷模板夹具上提供的基准点，一些系统检测模板的定面，而另一些则检测底面。模板上的全局基准点只是半腐蚀在模板的表面，用黑树脂颜料填充。
7、指定表面最终涂层
为元件的安装选择专门类型的表面最终涂镀方法可以提高装配工艺的效率，但是也可能影响ＰＣＢ的制造成本。在铜箔上电镀锡或锡／铅合金作为抗腐蚀层是非常常见的制造方法。选择性地去掉铜箔的减去法化学腐蚀 继续在ＰＣＢ工业广泛使用。因为锡／铅导线当暴露在１９５°Ｃ温度以上时变成液体，所以大多数使用回流焊接技术的表面贴装板都指定裸铜上的阻焊层(ＳＭＯＢＣ,ｓｏｌｄｅｒｍａｓｋ ｏｖｅｒ ｂａｒｅ ｃｏｐｐｅｒ)来保持阻焊材料下一个平坦均匀的表面。当处理ＳＭＯＢＣ板时，锡或锡／铅是化学剥离的，只留下铜导体和没有电镀的元件安装座。铜导体用环氧树脂或聚合物阻焊层涂盖，以防止对焊接有关工艺的暴露。虽然电路导线有阻焊层覆盖，设计者还必须为那些不被阻焊层覆盖的部分元件安装座 指定表面涂层。下面的例子是广泛使用在制造工业的合金电镀典型方法。
通常要求预处理安装座的应用是超密间距ＱＦＰ元件。例如，ＴＡＢ(ｔａｂｌｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄ)元件可能具有小于０．２５ｍｍ的引脚间距。通过在这些座上提供７００－８００μ″的锡／铅合金，装配专家可以上少量的助焊剂、贴装零件和使用加热棒、热风、激光或软束线光源来回流焊接该元件。在特殊的安装座上选择性地电镀或保留锡／铅合金将适用于超密间距ＴＡＢ封装的回流焊接。
使用热风均匀法，锡／铅在上阻焊层之后涂镀在电路板上。该工艺是，电镀的板经过清洗、上助焊剂和浸入熔化的焊锡中，当合金还是液体状态的时候，多余的材料被吹离表面，留下合金覆盖的表面。热风焊锡均匀ＨＡＳＬ(ｈｏｔ ａｉｒ ｓｏｌｄｅｒ ｌｅｖｅｌｉｎｇ)电镀工艺广泛使用，一般适合于回流焊接装配工艺；可是，焊锡量与平整度的不一致可能不适合于使用密间距元件的电路板。
密间距的ＳＱＦＰ、ＴＳＯＰ和ＢＧＡ元件要求非常均匀和平整的表面涂层。作为控制在密间距元件的安装座上均匀锡膏量的方法，表面必须尽可能地平整。为了保证平整度，许多公司在铜箔上使用镍合金，接着一层很薄的金合金涂层，来去掉氧化物。
在阻焊涂层工艺之后，在暴露的裸铜上使用无电镀镍／金。用这个工艺，制造商通常将使用锡／铅电镀图案作为抗腐蚀层，在腐蚀之后剥离锡／铅合金，但是不是对暴露的安装座和孔施用焊锡合金，而是电路板浸镀镍／金合金。
按照ＩＰＣ－２２２１标准《印制板设计的通用标准》，推荐的无电镀镍厚度是２．５－５．０μｍ(至少１．３μｍ)，而推荐的浸金厚度为０．０８－０．２３μｍ。
有关金的合金与焊接工艺的一句话忠告：如果金涂层厚度超过０．８μｍ（３μ″），那么金对锡／铅比率可能引起最终焊接点的脆弱。脆弱将造成温度循环中的过分开裂或装配后的板可能暴露到的其它物理应力。
8、合金电镀替代方案
在上阻焊层之后给板增加焊锡合金是有成本代价的，并且给基板遭受极大的应力条件。例如用锡／铅涂层，板插入熔化的焊锡中，然后抽出和用强风将多余的锡／铅材料去掉。温度冲击可能导致基板结构的脱层、损坏电镀孔和可能影响长期可靠性的缺陷。 Ｎｉ／Ａｕ涂镀，虽然应力较小，但不是所有电路板制造商都有的一种技术。作为对电镀的另一种选择，许多公司已经找到成功的、有经济优势的和平整的安装表面的方法，这就是有机保护层或在裸铜上与上助焊剂涂层。
作为阻止裸铜安装座和旁通孔／测试焊盘上氧化增长的一个方法，将一种特殊的保护剂或阻化剂涂层应用到板上。诸如苯并三唑（Ｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ）和咪唑（Ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）这些有机／氮涂层材料被用来取代上面所描述的合金表面涂层，可从几个渠道购买到，不同的商标名称。在北美洲，广泛使用的一种产品是ＥＮＴＥＫ ＰＬＵＳ ＣＵ－１０６Ａ。这种涂层适合于大多数有机助焊焊接材料，在对装配工艺中经常遇到的三、四次高温暴露之后仍有保护特征。多次暴露的能力是重要的。当ＳＭＤ要焊接到装配的主面和第二面的时候，会发生两次对回流焊接温度的暴露。混合技术典型的多次装配步骤也可能包括对波峰焊接或其它焊接工艺的暴露。
9、一般成本考虑
与ＰＣＢ电镀或涂镀有关的成本不总是详细界定的。一些供应商感觉方法之间的成本差别占总的单位成本中的很小部分，所以界不界定是不重要的。其他的可能对不是其能力之内的成本有一个额外的费用，因为板必须送出去最后加工。例如，在加州的一家公司将板发送给在德州的一家公司进行Ｎｉ／Ａｕ电镀。这个额外处理的费用可能没有清晰地界定为对客户的一个额外开支；可是，总的板成本受到影响。
每一个电镀和涂镀工艺都有其优点与缺点。设计者与制造工程师必须通过试验或工艺效率评估仔细地权衡每一个因素。在指定ＰＣＢ制造是必须考虑的问题都有经济以及工艺上的平衡。对于细导线、高元件密度或密间距技术与μＢＧＡ，平整的外形是必须的。焊盘表面涂层可以是电镀的或涂敷的，但必须考虑装配工艺与经济性。
在所有涂敷和电镀的选择中，Ｎｉ／Ａｕ是最万能的(只要金的厚度低于５μ″)。电镀工艺比保护性涂层好的优势是货架寿命、永久性地覆盖在那些不暴露到焊接工艺的旁路孔或其它电路特征的铜上面、和抗污染。虽然表面涂层特性之间的平衡将影响最终选择，但是可行性与总的ＰＣＢ成本最可能决定最后的选择。在北美，ＨＡＳＬ工艺传统上主宰ＰＣＢ工业，但是表面的均匀性难于控制。对于密间距元件的焊接，一个受控的装配工艺取决于一个平整均匀的安装座。密间距元件包括ＴＳＯＰ、ＳＱＦＰ和μＢＧＡ元件族。如果密间距元件在装配中不使用，使用ＨＡＳＬ工艺是可行的选择。
10、阻焊层（sldermask)要求
阻焊层在控制回流焊接工艺期间的焊接缺陷中的角色是重要的，ＰＣＢ设计者应该尽量减小焊盘特征周围的间隔或空气间隙。虽然许多工艺工程师宁可阻焊层分开板上所有焊盘特征，但是密间距元件的引脚间隔与焊盘尺寸将要求特殊的考虑。虽然在四边的ＱＦＰ上不分区的阻焊层开口或窗口可能是可接受的，但是控制元件引脚之间的锡桥可能更加困难。对于ＢＧＡ的阻焊层，许多公司提供一种阻焊层，它不接触焊盘，但是覆盖焊盘之间的任何特征，以防止锡桥。多数表面贴装的ＰＣＢ以阻焊层覆盖，但是阻焊层的涂敷，如果厚度大于０．０４ｍｍ（０．００１５″），可能影响锡膏的应用。表面贴装ＰＣＢ，特别是那些使用密间距元件的，都要求一种低轮廓感光阻焊层。阻焊材料必须通过液体湿 工艺或者干薄膜叠层来使用。干薄膜阻焊材料是以０．０７－０．１０ｍｍ（０．００３－０．００４″）厚度供应的，可适合于一些表面贴装产品，但是这种材料不推荐用于密间距应用。很少公司提供薄到可以满足密间距标准的干薄膜，但是有几家公司可以提供液体感光阻焊材料。通常，阻焊的开口应该比焊盘大０．１５ｍｍ（０．００６″）。这允许在焊盘所有边上０．０７ｍｍ(０．００３″)的间隙。低轮廓的液体感光阻焊材料是经济的，通常指定用于表面贴装应用，提供精确的特征尺寸和间隙。
结论
密间距(ｆｉｎｅ－ｐｉｔｃｈ)、ＢＧＡ和ＣＳＰ的装配工艺可以调整到满足可接受的效率水平，但是弯曲的引脚和锡膏印刷的不持续性经常给装配工艺合格率带来麻烦。虽然使用小型的密间距元件提供布局的灵活性，但是将很复杂的多层基板报上的元件推得更近，可能牺牲可测试性和修理。ＢＧＡ元件的使用已经提供较高的装配工艺合格率和更多的布局灵活性，提供较紧密的元件间隔与较短的元件之间的电路。一些公司正企图将几个电路功能集成到一两个多芯片的ＢＧＡ元件中来释放面积的限制。用户化的或专用的ＩＣ可以缓解ＰＣＢ的栅格限制，但是较高的Ｉ／Ｏ数与较密的引脚间距一般都会迫使设计者使用更多的电路层，因此增加ＰＣＢ制造的复杂性与成本。
芯片规模的ＢＧＡ封装被许多人看作是新一代手持与便携式电子产品空间限制的可行答案。许多公司也正在期待改进的功能以及更高的性能。当为这些元件选择最有效的接触点间距时，必须考虑硅芯片模块的尺寸、信号的数量、所要求的电源与接地点和在印制板上采用这些元件时的实际限制。虽然密间距的芯片规模(ｃｈｉｐ ｓｃａｌｅ)与芯片大小的元件被看作是新出现的技术，但是主要的元件供应商和几家主要的电子产品制造商已经采用了一两种ＣＳＰ的变化类型。在较小封装概念中的这种迅速增长是必须的，它满足产品开发商对减小产品尺寸、增加功能并且提高性能的需求。
第二篇 抗干扰3（部分）
3 提高敏感器件的抗干扰性能
提高敏感器件的抗干扰性能是指从敏感器件这边考虑尽量减少对干扰噪声
的拾取，以及从不正常状态尽快恢复的方法。
提高敏感器件抗干扰性能的常用措施如下：
（1）布线时尽量减少回路环的面积，以降低感应噪声。
（2）布线时，电源线和地线要尽量粗。除减小压降外，更重要的是降低耦
合噪声。
（3）对于单片机闲置的I/O口，不要悬空，要接地或接电源。其它IC的闲置
端在不改变系统逻辑的情况下接地或接电源。
（4）对单片机使用电源监控及看门狗电路，如：IMP809，IMP706，IMP813，
X25043，X25045等，可大幅度提高整个电路的抗干扰性能。
（5）在速度能满足要求的前提下，尽量降低单片机的晶振和选用低速数字
电路。
（6）IC器件尽量直接焊在电路板上，少用IC座。
第三篇 印制电路板的可靠性设计-去耦电容配置
在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：
●电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。
●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
●去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
第四篇 电磁兼容性和PCB设计约束（缺具体数据）
PCB布线对PCB的电磁兼容性影响很大，为了使PCB上的电路正常工作，应根据本文所述的约束条件来优化布线以及元器件/接头和某些IC所用去耦电路的布局
（一）、PCB材料的选择
通过合理选择PCB的材料和印刷线路的布线路径，可以做出对其它线路耦合低的传输线。当传输线导体间的距离d小于同其它相邻导体间的距离时，就能做到更低的耦合，或者更小的串扰（见《电子工程专辑》2000年第1期"应用指南"）。
设计之前，可根据下列条件选择最经济的PCB形式：
对EMC的要求
?印制板的密集程度
?组装与生产的能力
?CAD系统能力
?设计成本
?PCB的数量
?电磁屏蔽的成本
当采用非屏蔽外壳产品结构时，尤其要注意产品的整体成本/元器件封装/管脚样式、PCB形式、电磁场屏蔽、构造和组装），在许多情况下，选好合适的PCB形式可以不必在塑胶外壳里加入金属屏蔽盒。
为了提高高速模拟电路和所有数字应用的抗扰性同时减少有害辐射，需要用到传输线技术。根据输出信号的转换情况，S-VCC、S-VEE及VEE-VCC之间的传输线需要表示出来，如图1所示。
信号电流由电路输出级的对称性决定。对MOS而言IOL=IOH,而对TTL而言IOL＞IOH.
功能/逻辑类型 ZO(Ω)
电源（典型值） ＜＜10
ECL逻辑 50
TTL逻辑 100
HC(T)逻辑 200
表1：几种信号路径的传输线阻抗ZO。
逻辑器件类型和功能上的原因决定了传输线典型特征阻抗ZO，如表1所示。
图1：显示三种特定传输线的（数字）IC之间典型互联图
图2：IC去耦电路。
图3：正确的去耦电路块
表2：去耦电容Cdec..的推荐值。
逻辑电路噪声容限
（二）、信号线路及其信号回路
传送信号的线路要与其信号回路尽可能靠近，以防止这些线路包围的环路区域产生辐射，并降低环路感应电压的磁化系数。
一般情况下，当两条线路间的距离等于线宽时，耦合系数大约为0.5到0.6，线路的有效自感应从1μH/m降到0.4-0.5μ H/m.
这就意味着信号回路电流的40％到50％自由地就流向了PCB上其它线路。
对两个（子）电路块间的每一块信号路径，无论是模拟的还是数字的，都可以用三种传输线来表示，如图1所示，其中阻抗可从表1得到。
TTL逻辑电路由高电平向低电平转换时，吸收电流会大于电源电流以，在这种情况下，通常将传输线定义在Vcc和S之间，而不是VEE和S之间。通过采用铁氧体磁环可完全控制信号线和信号回路线上的电流。
在平行导体情况下，传输线的特征阻抗会因为铁氧体而受到影响，而在同轴电缆的情况下，铁氧体只会对电缆的外部参数有影响。
因此，相邻线路应尽可能细，而上下排列的则相反（通常距离小于1.5mm/双层板中环氧树脂的厚度）。布线应使每条信号线和它的信号回路尽可能靠近（信号和电源布线均适用）。如果传输线导体间耦合不够，可采用铁氧体磁环。
（三）、IC的去耦
通常IC仅通过电容来达到去耦的目的，因为电容并不理想，所以会产生谐振。在大于谐振频率时，电容表现得象个电感，这就意味着di/dt受到了限制。电容的值由IC管脚间允许的电源电压波动来决定，根据资深设计人员的实践经验，电压波动应小于信号线最坏状况下的噪声容限的25％，下面公式可计算出每种逻辑系列输出门电路的最佳去耦电容值：
I=c?dV/dt
表2给出了几种逻辑系列门电路在最坏情况下信号线噪声的容限，同时还给出每个输出级应加的去耦电容Cdec.的推荐值。
图4：PCB上环路的辐射
对快速逻辑电路来说，如果去耦电容含有很大串联电感（这种电感也许是由电容的结构、长的连接线或PCB的印制线路造成的），电容的值可能不再有用。这时则需要在尽可能靠近IC管脚的地方加入另外一个小陶瓷电容（100-100Pf）,与"LF-"去耦电容并联。陶瓷电容的谐振频率（包括到IC电源管脚的线路长度）应高于逻辑电路的带宽[1/(π.τr)],其中，τr是逻辑电路中电压的上升时间。
如果每个IC都有去耦电容，信号回路电流可选择最方便的路径，VEE或者VCC，这可以由传送信号的线路和电源线路间的互耦来决定。
在两个去耦电容（每个IC一个）和电源线路形成的电感Ltrace之间，会形成串联谐振电路，这种谐振只可以发生在低频（＜1MHz＝或谐振电路的Q值较低（＜2＝的情况下。
通过将高射频损耗扼流线圈串联在Vcc网络和要去耦的IC中，可使谐振频率保持在1MHz以下，如果射频损耗太低可通过并联或串联电阻来补偿（图2）。
扼流线圈应该总是采用封闭的内芯，否则它会成为一个射频发射器或磁场铁感应器。
例如：1MHz*1μHz Z1=6.28Ω Rs=3.14Ω Q<2 Rp=12.56Ω
大于谐振频率时，"传输线"的特征阻抗Z0（此时将IC的阻抗看作电源负载）等于：Z0 =（Ltrace/Cdecoupling）的平方根
去耦电容的串联电感和连接线路的电感对射频电源电流分配没有多大影响，比如采用了一个1μH扼流线圈的情况。但它仍然会决定IC电源管脚间的电压波动，表3给出了电源信噪容限为25％时，推荐的最大电感值Ltrace.根据图2所建议的去耦方法，两个IC间的传输线数量从3条减少到了1条（见图3）。
因此，对每个IC采用适当的去耦方法：Lchoke+Cdec.电路块间就只需定义一条传输线。
对于τr<3ns的高速逻辑电路，与去耦电容串联的全部电感必须要很低（见表3）。与电源管脚串联的50mm印制线路相当于一个50hH电感，与输出端的负载（典型值为50pF）一起决定了最小上升时间为3.2ns。如要求更快的上升时间，就必须缩短去耦电容的引脚。长度（最好无引脚）并缩短IC封装的引脚，例如可以用IC去耦电容，或最好采用将（电源）管脚在中间的IC与很小的3E间距（DIL）无引脚陶瓷电容相结合等方法来达到这一目的，也可以用带电源层和接地层的多层电路板。另外采用电源管脚在中间的SO封装还可得到进一步的改善。但是，使用快速逻辑电路时，应采用多层电路板。
（四）、根据辐射决定环路面积
无终点传输线的反射情况决定了线路的最大长度。由于对产品的EM辐射有强制性要求，因此环路区域的面积和线路长度都受到限制，如果采用非屏蔽外壳，这种限制将直接由PCB来实现。
注意：如果在异步逻辑电路设计中采用串联端接负载，必须要注意会出现准稳性，特别是对称逻辑输入电路无法确定输入信号是高还是低，而且可能会导致非定义输出情况。
图3：正确的去耦电路块。
对于频域中的逻辑信号，频谱的电流幅度在超出逻辑信号带宽（=1/π.τr）的频率上与频率的平方成反比。用角频率表示，环路的辐射阻抗仍随频率平方成正比。因而可计算出最大的环路面积，它由时钟速率或重复速率、逻辑信号的上升时间或带宽以及时域的电流幅度决定。电流波形由电压波形决定，电流半宽时间约等于电压的上升时间。
电流幅度可用角频率（=1/π.τr）表示为： I(f)=2.I. τr/T
其中： I=为时域电流幅度；T=为时钟速率的倒数，即周期；
τr为电压的上升时间，约等于电流半宽时间τH。
从这一等式可计算出某种逻辑系列电路在某一时钟速率下最大环路面积，表5给出了相应的环路面积。最大环路面积由时钟速率、逻辑电路类型（=输出电流）和PCB上同时存在的开关环路数量n决定。
如果所用的时钟速率超过30MHz，就必须要采用多层电路板，在这种情况下，环氧树脂的厚度与层数有关，在60至300μm之间。只有当PCB上的高速时钟信号的数量有限时，通过采用层到层的线路进行仔细布线，也可在双层板上得到可以接受的结果。
注意：在这种情况下，如采用普通DIL封装，则会超过环路面积的限制，一定要有另外的屏蔽措施和适当的滤波。
所有连接到其它面板及部件的连接头必须尽可能相互靠近放置，这样在电缆中传导的共模电流就不会流入PCB电路中的线路，另外，PCB上参考点间的电压降也无法激励（天线）电缆。
为避免这种共模影响，必须使靠近接头的参考地和PCB上电路的接地层、接地网格或电路参考地隔开，如果可能，这些接地片应接到产品的金属外壳上。从这个接地片上，只有高阻器件如电感、电阻、簧片继电器和光耦合器可接在两个地之间。所有的接头要尽可能靠近放置，以防止外部电流流过PCB上的线路或参考地。
（五）、电缆及接头的正确选择
电缆的选择由流过电缆的信号幅度和频率成分决定。对于位于产品外部的电缆来说，如果传送10kHz以上时钟速率的数据信号，则一定要用到屏蔽（产品要求），屏蔽部分应在电缆的两端连接到地（金属外壳产品），这样能确保对电场和磁场都进行屏蔽。
如果用的是分开接地，则应连到"接头地"而不是"电路地"。
如果时钟速率在10kHz到1MHz之间，并且逻辑电路的上升时间尽可能保持低，将可以得到80％以上的光覆盖或小于10Nh/m的转移阻抗。如果时钟速率超过1MHz时，就需要更好的屏蔽电缆。
通常，除同轴电缆外，电缆的屏蔽不应用作为信号回路。
通过在信号输入/输出和地/参考点之间串入无源滤波器以减少射频成分，可以不必采用高质量屏蔽和相应接头。好的屏蔽电缆应配备合适的
第一篇 PCB布线
在PCB设计中，布线是完成产品设计的重要步骤，可以说前面的准备工作都是为它而做的， 在整个PCB中，以布线的设计过程限定最高，技巧最细、工作量最大。PCB布线有单面布线、 双面布线及多层布线。布线的方式也有两种：自动布线及交互式布线，在自动布线之前， 可以用交互式预先对要求比较严格的线进行布线，输入端与输出端的边线应避免相邻平行， 以免产生反射干扰。必要时应加地线隔离，两相邻层的布线要互相垂直，平行容易产生寄生耦合。
自动布线的布通率，依赖于良好的布局，布线规则可以预先设定， 包括走线的弯曲次数、导通孔的数目、步进的数目等。一般先进行探索式布经线，快速地把短线连通， 然后进行迷宫式布线，先把要布的连线进行全局的布线路径优化，它可以根据需要断开已布的线。 并试着重新再布线，以改进总体效果。
对目前高密度的PCB设计已感觉到贯通孔不太适应了， 它浪费了许多宝贵的布线通道，为解决这一矛盾，出现了盲孔和埋孔技术，它不仅完成了导通孔的作用， 还省出许多布线通道使布线过程完成得更加方便，更加流畅，更为完善，PCB 板的设计过程是一个复杂而又简单的过程，要想很好地掌握它，还需广大电子工程设计人员去自已体会， 才能得到其中的真谛。
1 电源、地线的处理
既使在整个PCB板中的布线完成得都很好，但由于电源、 地线的考虑不周到而引起的干扰，会使产品的性能下降，有时甚至影响到产品的成功率。所以对电、 地线的布线要认真对待，把电、地线所产生的噪音干扰降到最低限度，以保证产品的质量。
对每个从事电子产品设计的工程人员来说都明白地线与电源线之间噪音所产生的原因， 现只对降低式抑制噪音作以表述：
（1）、众所周知的是在电源、地线之间加上去耦电容。
（2）、尽量加宽电源、地线宽度，最好是地线比电源线宽，它们的关系是：地线＞电源线＞信号线，通常信号线宽为：0.2～0.3mm,最经细宽度可达0.05～0.07mm,电源线为1.2～2.5 mm
对数字电路的PCB可用宽的地导线组成一个回路, 即构成一个地网来使用(模拟电路的地不能这样使用)
（3）、用大面积铜层作地线用,在印制板上把没被用上的地方都与地相连接作为地线用。或是做成多层板，电源，地线各占用一层。
2 数字电路与模拟电路的共地处理
现在有许多PCB不再是单一功能电路（数字或模拟电路），而是由数字电路和模拟电路混合构成的。因此在布线时就需要考虑它们之间互相干扰问题，特别是地线上的噪音干扰。
数字电路的频率高，模拟电路的敏感度强，对信号线来说，高频的信号线尽可能远离敏感的模拟电路器件，对地线来说，整人PCB对外界只有一个结点，所以必须在PCB内部进行处理数、模共地的问题，而在板内部数字地和模拟地实际上是分开的它们之间互不相连，只是在PCB与外界连接的接口处（如插头等）。数字地与模拟地有一点短接，请注意，只有一个连接点。也有在PCB上不共地的，这由系统设计来决定。
3 信号线布在电（地）层上
在多层印制板布线时，由于在信号线层没有布完的线剩下已经不多，再多加层数就会造成浪费也会给生产增加一定的工作量，成本也相应增加了，为解决这个矛盾，可以考虑在电（地）层上进行布线。首先应考虑用电源层，其次才是地层。因为最好是保留地层的完整性。
4 大面积导体中连接腿的处理
在大面积的接地（电）中，常用元器件的腿与其连接，对连接腿的处理需要进行综合的考虑，就电气性能而言，元件腿的焊盘与铜面满接为好，但对元件的焊接装配就存在一些不良隐患如：①焊接需要大功率加热器。②容易造成虚焊点。所以兼顾电气性能与工艺需要，做成十字花焊盘，称之为热隔离（heat shield）俗称热焊盘（Thermal），这样，可使在焊接时因截面过分散热而产生虚焊点的可能性大大减少。多层板的接电（地）层腿的处理相同。
5 布线中网络系统的作用
在许多CAD系统中，布线是依据网络系统决定的。网格过密，通路虽然有所增加，但步进太小，图场的数据量过大，这必然对设备的存贮空间有更高的要求，同时也对象计算机类电子产品的运算速度有极大的影响。而有些通路是无效的，如被元件腿的焊盘占用的或被安装孔、定们孔所占用的等。网格过疏，通路太少对布通率的影响极大。所以要有一个疏密合理的网格系统来支持布线的进行。
标准元器件两腿之间的距离为0.1英寸(2.54mm),所以网格系统的基础一般就定为0.1英寸(2.54 mm)或小于0.1英寸的整倍数，如：0.05英寸、0.025英寸、0.02英寸等。
6 设计规则检查（DRC）
布线设计完成后，需认真检查布线设计是否符合设计者所制定的规则，同时也需确认所制定的规则是否符合印制板生产工艺的需求，一般检查有如下几个方面：
（1）、线与线，线与元件焊盘，线与贯通孔，元件焊盘与贯通孔，贯通孔与贯通孔之间的距离是否合理，是否满足生产要求。
（2）、电源线和地线的宽度是否合适，电源与地线之间是否紧耦合（低的波阻抗）？在PCB中是否还有能让地线加宽的地方。
（3）、对于关键的信号线是否采取了最佳措施，如长度最短，加保护线，输入线及输出线被明显地分开。
（4）、模拟电路和数字电路部分，是否有各自独立的地线。
（5）、后加在PCB中的图形（如图标、注标）是否会造成信号短路。
（6）、对一些不理想的线形进行修改。
（7）、在PCB上是否加有工艺线？阻焊是否符合生产工艺的要求，阻焊尺寸是否合适，字符标志是否压在器件焊盘上，以免影响电装质量。
（8）、多层板中的电源地层的外框边缘是否缩小，如电源地层的铜箔露出板外容易造成短路。
第二篇 PCB布局
在设计中，布局是一个重要的环节。布局结果的好坏将直接影响布线的效果，因此可以这样认为，合理的布局是PCB设计成功的第一步。
布局的方式分两种，一种是交互式布局，另一种是自动布局，一般是在自动布局的基础上用交互式布局进行调整，在布局时还可根据走线的情况对门电路进行再分配，将两个门电路进行交换，使其成为便于布线的最佳布局。在布局完成后，还可对设计文件及有关信息进行返回标注于原理图，使得PCB板中的有关信息与原理图相一致，以便在今后的建档、更改设计能同步起来, 同时对模拟的有关信息进行更新，使得能对电路的电气性能及功能进行板级验证。
--考虑整体美观
一个产品的成功与否，一是要注重内在质量，二是兼顾整体的美观，两者都较完美才能认为该产品是成功的。
在一个PCB板上，元件的布局要求要均衡，疏密有序，不能头重脚轻或一头沉。
--布局的检查
印制板尺寸是否与加工图纸尺寸相符？能否符合PCB制造工艺要求？有无定位标记？
元件在二维、三维空间上有无冲突？
元件布局是否疏密有序，排列整齐？是否全部布完？
需经常更换的元件能否方便的更换？插件板插入设备是否方便？
热敏元件与发热元件之间是否有适当的距离？
调整可调元件是否方便？
在需要散热的地方，装了散热器没有？空气流是否通畅？
信号流程是否顺畅且互连最短？
插头、插座等与机械设计是否矛盾？
线路的干扰问题是否有所考虑？
第三篇 高速PCB设计
（一）、电子系统设计所面临的挑战
随着系统设计复杂性和集成度的大规模提高，电子系统设计师们正在从事100MHZ以上的电路设计，总线的工作频率也已经达到或者超过50MHZ，有的甚至超过100MHZ。目前约50% 的设计的时钟频率超过50MHz，将近20% 的设计主频超过120MHz。
当系统工作在50MHz时，将产生传输线效应和信号的完整性问题；而当系统时钟达到120MHz时，除非使用高速电路设计知识，否则基于传统方法设计的PCB将无法工作。因此，高速电路设计技术已经成为电子系统设计师必须采取的设计手段。只有通过使用高速电路设计师的设计技术，才能实现设计过程的可控性。
（二）、什么是高速电路
通常认为如果数字逻辑电路的频率达到或者超过45MHZ~50MHZ，而且工作在这个频率之上的电路已经占到了整个电子系统一定的份量（比如说１／３），就称为高速电路。
实际上，信号边沿的谐波频率比信号本身的频率高，是信号快速变化的上升沿与下降沿（或称信号的跳变）引发了信号传输的非预期结果。因此，通常约定如果线传播延时大于1/2数字信号驱动端的上升时间，则认为此类信号是高速信号并产生传输线效应。
信号的传递发生在信号状态改变的瞬间，如上升或下降时间。信号从驱动端到接收端经过一段固定的时间，如果传输时间小于1/2的上升或下降时间，那么来自接收端的反射信号将在信号改变状态之前到达驱动端。反之，反射信号将在信号改变状态之后到达驱动端。如果反射信号很强，叠加的波形就有可能会改变逻辑状态。
（三）、高速信号的确定
上面我们定义了传输线效应发生的前提条件，但是如何得知线延时是否大于1/2驱动端的信号上升时间？ 一般地，信号上升时间的典型值可通过器件手册给出，而信号的传播时间在PCB设计中由实际布线长度决定。下图为信号上升时间和允许的布线长度(延时)的对应关系。
PCB 板上每单位英寸的延时为 0.167ns.。但是，如果过孔多，器件管脚多，网线上设置的约束多，延时将增大。通常高速逻辑器件的信号上升时间大约为0.2ns。如果板上有GaAs芯片，则最大布线长度为7.62mm。
设Tr 为信号上升时间， Tpd 为信号线传播延时。如果Tr≥4Tpd，信号落在安全区域。如果2Tpd≥Tr≥4Tpd，信号落在不确定区域。如果Tr≤2Tpd，信号落在问题区域。对于落在不确定区域及问题区域的信号，应该使用高速布线方法。
（四）、什么是传输线
PCB板上的走线可等效为下图所示的串联和并联的电容、电阻和电感结构。串联电阻的典型值0.25-0.55 ohms/foot，因为绝缘层的缘故，并联电阻阻值通常很高。将寄生电阻、电容和电感加到实际的PCB连线中之后，连线上的最终阻抗称为特征阻抗Zo。线径越宽，距电源/地越近，或隔离层的介电常数越高，特征阻抗就越小。如果传输线和接收端的阻抗不匹配，那么输出的电流信号和信号最终的稳定状态将不同，这就引起信号在接收端产生反射，这个反射信号将传回信号发射端并再次反射回来。随着能量的减弱反射信号的幅度将减小，直到信号的电压和电流达到稳定。这种效应被称为振荡，信号的振荡在信号的上升沿和下降沿经常可以看到。
（五）、传输线效应
基于上述定义的传输线模型，归纳起来，传输线会对整个电路设计带来以下效应。
· 反射信号Reflected signals
· 延时和时序错误Delay & Timing errors
· 多次跨越逻辑电平门限错误False Switching
· 过冲与下冲Overshoot/Undershoot
· 串扰Induced Noise (or crosstalk)
· 电磁辐射EMI radiation
5.1 反射信号
如果一根走线没有被正确终结(终端匹配)，那么来自于驱动端的信号脉冲在接收端被反射，从而引发不预期效应，使信号轮廓失真。当失真变形非常显著时可导致多种错误，引起设计失败。同时，失真变形的信号对噪声的敏感性增加了，也会引起设计失败。如果上述情况没有被足够考虑，EMI将显著增加，这就不单单影响自身设计结果，还会造成整个系统的失败。
反射信号产生的主要原因：过长的走线；未被匹配终结的传输线，过量电容或电感以及阻抗失配。
5.2 延时和时序错误
信号延时和时序错误表现为：信号在逻辑电平的高与低门限之间变化时保持一段时间信号不跳变。过多的信号延时可能导致时序错误和器件功能的混乱。
通常在有多个接收端时会出现问题。电路设计师必须确定最坏情况下的时间延时以确保设计的正确性。信号延时产生的原因：驱动过载，走线过长。
5.3 多次跨越逻辑电平门限错误
信号在跳变的过程中可能多次跨越逻辑电平门限从而导致这一类型的错误。多次跨越逻辑电平门限错误是信号振荡的一种特殊的形式，即信号的振荡发生在逻辑电平门限附近，多次跨越逻辑电平门限会导致逻辑功能紊乱。反射信号产生的原因：过长的走线，未被终结的传输线，过量电容或电感以及阻抗失配。
5.4 过冲与下冲
过冲与下冲来源于走线过长或者信号变化太快两方面的原因。虽然大多数元件接收端有输入保护二极管保护，但有时这些过冲电平会远远超过元件电源电压范围，损坏元器件。
5.5 串扰
串扰表现为在一根信号线上有信号通过时，在PCB板上与之相邻的信号线上就会感应出相关的信号，我们称之为串扰。
信号线距离地线越近，线间距越大，产生的串扰信号越小。异步信号和时钟信号更容易产生串扰。因此解串扰的方法是移开发生串扰的信号或屏蔽被严重干扰的信号。
5.6 电磁辐射
EMI(Electro-Magnetic Interference)即电磁干扰，产生的问题包含过量的电磁辐射及对电磁辐射的敏感性两方面。EMI表现为当数字系统加电运行时，会对周围环境辐射电磁波，从而干扰周围环境中电子设备的正常工作。它产生的主要原因是电路工作频率太高以及布局布线不合理。目前已有进行 EMI仿真的软件工具，但EMI仿真器都很昂贵，仿真参数和边界条件设置又很困难，这将直接影响仿真结果的准确性和实用性。最通常的做法是将控制EMI的各项设计规则应用在设计的每一环节，实现在设计各环节上的规则驱动和控制。
（六）、避免传输线效应的方法
针对上述传输线问题所引入的影响，我们从以下几方面谈谈控制这些影响的方法。
6.1 严格控制关键网线的走线长度
如果设计中有高速跳变的边沿，就必须考虑到在PCB板上存在传输线效应的问题。现在普遍使用的很高时钟频率的快速集成电路芯片更是存在这样的问题。解决这个问题有一些基本原则：如果采用CMOS或TTL电路进行设计，工作频率小于10MHz，布线长度应不大于7英寸。工作频率在50MHz布线长度应不大于1.5英寸。如果工作频率达到或超过75MHz布线长度应在1英寸。对于GaAs芯片最大的布线长度应为0.3英寸。如果超过这个标准，就存在传输线的问题。
6.2 合理规划走线的拓扑结构
解决传输线效应的另一个方法是选择正确的布线路径和终端拓扑结构。走线的拓扑结构是指一根网线的布线顺序及布线结构。当使用高速逻辑器件时，除非走线分支长度保持很短，否则边沿快速变化的信号将被信号主干走线上的分支走线所扭曲。通常情形下，PCB走线采用两种基本拓扑结构，即菊花链(Daisy Chain)布线和星形(Star)分布。
对于菊花链布线，布线从驱动端开始，依次到达各接收端。如果使用串联电阻来改变信号特性，串联电阻的位置应该紧靠驱动端。在控制走线的高次谐波干扰方面，菊花链走线效果最好。但这种走线方式布通率最低，不容易100%布通。实际设计中，我们是使菊花链布线中分支长度尽可能短，安全的长度值应该是：Stub Delay <= Trt *0.1.
例如，高速TTL电路中的分支端长度应小于1.5英寸。这种拓扑结构占用的布线空间较小并可用单一电阻匹配终结。但是这种走线结构使得在不同的信号接收端信号的接收是不同步的。
星形拓扑结构可以有效的避免时钟信号的不同步问题，但在密度很高的PCB板上手工完成布线十分困难。采用自动布线器是完成星型布线的最好的方法。每条分支上都需要终端电阻。终端电阻的阻值应和连线的特征阻抗相匹配。这可通过手工计算，也可通过CAD工具计算出特征阻抗值和终端匹配电阻值。
在上面的两个例子中使用了简单的终端电阻，实际中可选择使用更复杂的匹配终端。第一种选择是RC匹配终端。RC匹配终端可以减少功率消耗，但只能使用于信号工作比较稳定的情况。这种方式最适合于对时钟线信号进行匹配处理。其缺点是RC匹配终端中的电容可能影响信号的形状和传播速度。
串联电阻匹配终端不会产生额外的功率消耗，但会减慢信号的传输。这种方式用于时间延迟影响不大的总线驱动电路。 串联电阻匹配终端的优势还在于可以减少板上器件的使用数量和连线密度。
最后一种方式为分离匹配终端，这种方式匹配元件需要放置在接收端附近。其优点是不会拉低信号，并且可以很好的避免噪声。典型的用于TTL输入信号(ACT, HCT, FAST)。
此外，对于终端匹配电阻的封装型式和安装型式也必须考虑。通常SMD表面贴装电阻比通孔元件具有较低的电感，所以SMD封装元件成为首选。如果选择普通直插电阻也有两种安装方式可选：垂直方式和水平方式。
垂直安装方式中电阻的一条安装管脚很短，可以减少电阻和电路板间的热阻，使电阻的热量更加容易散发到空气中。但较长的垂直安装会增加电阻的电感。水平安装方式因安装较低有更低的电感。但过热的电阻会出现漂移，在最坏的情况下电阻成为开路，造成PCB走线终结匹配失效，成为潜在的失败因素。
6.3 抑止电磁干扰的方法
很好地解决信号完整性问题将改善PCB板的电磁兼容性(EMC)。其中非常重要的是保证PCB板有很好的接地。对复杂的设计采用一个信号层配一个地线层是十分有效的方法。此外，使电路板的最外层信号的密度最小也是减少电磁辐射的好方法，这种方法可采用"表面积层"技术"Build-up"设计制做PCB来实现。表面积层通过在普通工艺 PCB 上增加薄绝缘层和用于贯穿这些层的微孔的组合来实现 ，电阻和电容可埋在表层下，单位面积上的走线密度会增加近一倍，因而可降低 PCB的体积。PCB 面积的缩小对走线的拓扑结构有巨大的影响，这意味着缩小的电流回路，缩小的分支走线长度，而电磁辐射近似正比于电流回路的面积；同时小体积特征意味着高密度引脚封装器件可以被使用，这又使得连线长度下降，从而电流回路减小，提高电磁兼容特性。
6.4 其它可采用技术
为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲，应该为集成电路芯片添加去耦电容。这可以有效去除电源上的毛刺的影响并减少在印制板上的电源环路的辐射。
当去耦电容直接连接在集成电路的电源管腿上而不是连接在电源层上时，其平滑毛刺的效果最好。这就是为什么有一些器件插座上带有去耦电容，而有的器件要求去耦电容距器件的距离要足够的小。
任何高速和高功耗的器件应尽量放置在一起以减少电源电压瞬时过冲。
如果没有电源层，那么长的电源连线会在信号和回路间形成环路，成为辐射源和易感应电路。
走线构成一个不穿过同一网线或其它走线的环路的情况称为开环。如果环路穿过同一网线其它走线则构成闭环。两种情况都会形成天线效应(线天线和环形天线)。天线对外产生EMI辐射，同时自身也是敏感电路。闭环是一个必须考虑的问题，因为它产生的辐射与闭环面积近似成正比。
结束语
高速电路设计是一个非常复杂的设计过程，ZUKEN公司的高速电路布线算法(Route Editor)和EMC/EMI分析软件(INCASES,Hot-Stage)应用于分析和发现问题。本文所阐述的方法就是专门针对解决这些高速电路设计问题的。此外，在进行高速电路设计时有多个因素需要加以考虑，这些因素有时互相对立。如高速器件布局时位置靠近，虽可以减少延时，但可能产生串扰和显著的热效应。因此在设计中，需权衡各因素，做出全面的折衷考虑；既满足设计要求，又降低设计复杂度。高速PCB设计手段的采用构成了设计过程的可控性，只有可控的，才是可靠的，也才能是成功的！
在PCB设计中，布线是完成产品设计的重要步骤，可以说前面的准备工作都是为它而做的， 在整个PCB中，以布线的设计过程限定最高，技巧最细、工作量最大。PCB布线有单面布线、 双面布线及多层布线。布线的方式也有两种：自动布线及交互式布线，在自动布线之前， 可以用交互式预先对要求比较严格的线进行布线，输入端与输出端的边线应避免相邻平行， 以免产生反射干扰。必要时应加地线隔离，两相邻层的布线要互相垂直，平行容易产生寄生耦合。
自动布线的布通率，依赖于良好的布局，布线规则可以预先设定， 包括走线的弯曲次数、导通孔的数目、步进的数目等。一般先进行探索式布经线，快速地把短线连通， 然后进行迷宫式布线，先把要布的连线进行全局的布线路径优化，它可以根据需要断开已布的线。 并试着重新再布线，以改进总体效果。
对目前高密度的PCB设计已感觉到贯通孔不太适应了， 它浪费了许多宝贵的布线通道，为解决这一矛盾，出现了盲孔和埋孔技术，它不仅完成了导通孔的作用， 还省出许多布线通道使布线过程完成得更加方便，更加流畅，更为完善，PCB 板的设计过程是一个复杂而又简单的过程，要想很好地掌握它，还需广大电子工程设计人员去自已体会， 才能得到其中的真谛。
1 电源、地线的处理
既使在整个PCB板中的布线完成得都很好，但由于电源、 地线的考虑不周到而引起的干扰，会使产品的性能下降，有时甚至影响到产品的成功率。所以对电、 地线的布线要认真对待，把电、地线所产生的噪音干扰降到最低限度，以保证产品的质量。
对每个从事电子产品设计的工程人员来说都明白地线与电源线之间噪音所产生的原因， 现只对降低式抑制噪音作以表述：
（1）、众所周知的是在电源、地线之间加上去耦电容。
（2）、尽量加宽电源、地线宽度，最好是地线比电源线宽，它们的关系是：地线＞电源线＞信号线，通常信号线宽为：0.2～0.3mm,最经细宽度可达0.05～0.07mm,电源线为1.2～2.5 mm
对数字电路的PCB可用宽的地导线组成一个回路, 即构成一个地网来使用(模拟电路的地不能这样使用)
（3）、用大面积铜层作地线用,在印制板上把没被用上的地方都与地相连接作为地线用。或是做成多层板，电源，地线各占用一层。
2 数字电路与模拟电路的共地处理
现在有许多PCB不再是单一功能电路（数字或模拟电路），而是由数字电路和模拟电路混合构成的。因此在布线时就需要考虑它们之间互相干扰问题，特别是地线上的噪音干扰。
数字电路的频率高，模拟电路的敏感度强，对信号线来说，高频的信号线尽可能远离敏感的模拟电路器件，对地线来说，整人PCB对外界只有一个结点，所以必须在PCB内部进行处理数、模共地的问题，而在板内部数字地和模拟地实际上是分开的它们之间互不相连，只是在PCB与外界连接的接口处（如插头等）。数字地与模拟地有一点短接，请注意，只有一个连接点。也有在PCB上不共地的，这由系统设计来决定。
3 信号线布在电（地）层上
在多层印制板布线时，由于在信号线层没有布完的线剩下已经不多，再多加层数就会造成浪费也会给生产增加一定的工作量，成本也相应增加了，为解决这个矛盾，可以考虑在电（地）层上进行布线。首先应考虑用电源层，其次才是地层。因为最好是保留地层的完整性。
4 大面积导体中连接腿的处理
在大面积的接地（电）中，常用元器件的腿与其连接，对连接腿的处理需要进行综合的考虑，就电气性能而言，元件腿的焊盘与铜面满接为好，但对元件的焊接装配就存在一些不良隐患如：①焊接需要大功率加热器。②容易造成虚焊点。所以兼顾电气性能与工艺需要，做成十字花焊盘，称之为热隔离（heat shield）俗称热焊盘（Thermal），这样，可使在焊接时因截面过分散热而产生虚焊点的可能性大大减少。多层板的接电（地）层腿的处理相同。
5 布线中网络系统的作用
在许多CAD系统中，布线是依据网络系统决定的。网格过密，通路虽然有所增加，但步进太小，图场的数据量过大，这必然对设备的存贮空间有更高的要求，同时也对象计算机类电子产品的运算速度有极大的影响。而有些通路是无效的，如被元件腿的焊盘占用的或被安装孔、定们孔所占用的等。网格过疏，通路太少对布通率的影响极大。所以要有一个疏密合理的网格系统来支持布线的进行。
标准元器件两腿之间的距离为0.1英寸(2.54mm),所以网格系统的基础一般就定为0.1英寸(2.54 mm)或小于0.1英寸的整倍数，如：0.05英寸、0.025英寸、0.02英寸等。
6 设计规则检查（DRC）
布线设计完成后，需认真检查布线设计是否符合设计者所制定的规则，同时也需确认所制定的规则是否符合印制板生产工艺的需求，一般检查有如下几个方面：
（1）、线与线，线与元件焊盘，线与贯通孔，元件焊盘与贯通孔，贯通孔与贯通孔之间的距离是否合理，是否满足生产要求。
（2）、电源线和地线的宽度是否合适，电源与地线之间是否紧耦合（低的波阻抗）？在PCB中是否还有能让地线加宽的地方。
（3）、对于关键的信号线是否采取了最佳措施，如长度最短，加保护线，输入线及输出线被明显地分开。
（4）、模拟电路和数字电路部分，是否有各自独立的地线。
（5）、后加在PCB中的图形（如图标、注标）是否会造成信号短路。
（6）、对一些不理想的线形进行修改。
（7）、在PCB上是否加有工艺线？阻焊是否符合生产工艺的要求，阻焊尺寸是否合适，字符标志是否压在器件焊盘上，以免影响电装质量。
（8）、多层板中的电源地层的外框边缘是否缩小，如电源地层的铜箔露出板外容易造成短路。
第二篇 PCB布局
在设计中，布局是一个重要的环节。布局结果的好坏将直接影响布线的效果，因此可以这样认为，合理的布局是PCB设计成功的第一步。
布局的方式分两种，一种是交互式布局，另一种是自动布局，一般是在自动布局的基础上用交互式布局进行调整，在布局时还可根据走线的情况对门电路进行再分配，将两个门电路进行交换，使其成为便于布线的最佳布局。在布局完成后，还可对设计文件及有关信息进行返回标注于原理图，使得PCB板中的有关信息与原理图相一致，以便在今后的建档、更改设计能同步起来, 同时对模拟的有关信息进行更新，使得能对电路的电气性能及功能进行板级验证。
--考虑整体美观
一个产品的成功与否，一是要注重内在质量，二是兼顾整体的美观，两者都较完美才能认为该产品是成功的。
在一个PCB板上，元件的布局要求要均衡，疏密有序，不能头重脚轻或一头沉。
--布局的检查
印制板尺寸是否与加工图纸尺寸相符？能否符合PCB制造工艺要求？有无定位标记？
元件在二维、三维空间上有无冲突？
元件布局是否疏密有序，排列整齐？是否全部布完？
需经常更换的元件能否方便的更换？插件板插入设备是否方便？
热敏元件与发热元件之间是否有适当的距离？
调整可调元件是否方便？
在需要散热的地方，装了散热器没有？空气流是否通畅？
信号流程是否顺畅且互连最短？
插头、插座等与机械设计是否矛盾？
线路的干扰问题是否有所考虑？
第三篇 高速PCB设计
（一）、电子系统设计所面临的挑战
随着系统设计复杂性和集成度的大规模提高，电子系统设计师们正在从事100MHZ以上的电路设计，总线的工作频率也已经达到或者超过50MHZ，有的甚至超过100MHZ。目前约50% 的设计的时钟频率超过50MHz，将近20% 的设计主频超过120MHz。
当系统工作在50MHz时，将产生传输线效应和信号的完整性问题；而当系统时钟达到120MHz时，除非使用高速电路设计知识，否则基于传统方法设计的PCB将无法工作。因此，高速电路设计技术已经成为电子系统设计师必须采取的设计手段。只有通过使用高速电路设计师的设计技术，才能实现设计过程的可控性。
（二）、什么是高速电路
通常认为如果数字逻辑电路的频率达到或者超过45MHZ~50MHZ，而且工作在这个频率之上的电路已经占到了整个电子系统一定的份量（比如说１／３），就称为高速电路。
实际上，信号边沿的谐波频率比信号本身的频率高，是信号快速变化的上升沿与下降沿（或称信号的跳变）引发了信号传输的非预期结果。因此，通常约定如果线传播延时大于1/2数字信号驱动端的上升时间，则认为此类信号是高速信号并产生传输线效应。
信号的传递发生在信号状态改变的瞬间，如上升或下降时间。信号从驱动端到接收端经过一段固定的时间，如果传输时间小于1/2的上升或下降时间，那么来自接收端的反射信号将在信号改变状态之前到达驱动端。反之，反射信号将在信号改变状态之后到达驱动端。如果反射信号很强，叠加的波形就有可能会改变逻辑状态。
（三）、高速信号的确定
上面我们定义了传输线效应发生的前提条件，但是如何得知线延时是否大于1/2驱动端的信号上升时间？ 一般地，信号上升时间的典型值可通过器件手册给出，而信号的传播时间在PCB设计中由实际布线长度决定。下图为信号上升时间和允许的布线长度(延时)的对应关系。
PCB 板上每单位英寸的延时为 0.167ns.。但是，如果过孔多，器件管脚多，网线上设置的约束多，延时将增大。通常高速逻辑器件的信号上升时间大约为0.2ns。如果板上有GaAs芯片，则最大布线长度为7.62mm。
设Tr 为信号上升时间， Tpd 为信号线传播延时。如果Tr≥4Tpd，信号落在安全区域。如果2Tpd≥Tr≥4Tpd，信号落在不确定区域。如果Tr≤2Tpd，信号落在问题区域。对于落在不确定区域及问题区域的信号，应该使用高速布线方法。
（四）、什么是传输线
PCB板上的走线可等效为下图所示的串联和并联的电容、电阻和电感结构。串联电阻的典型值0.25-0.55 ohms/foot，因为绝缘层的缘故，并联电阻阻值通常很高。将寄生电阻、电容和电感加到实际的PCB连线中之后，连线上的最终阻抗称为特征阻抗Zo。线径越宽，距电源/地越近，或隔离层的介电常数越高，特征阻抗就越小。如果传输线和接收端的阻抗不匹配，那么输出的电流信号和信号最终的稳定状态将不同，这就引起信号在接收端产生反射，这个反射信号将传回信号发射端并再次反射回来。随着能量的减弱反射信号的幅度将减小，直到信号的电压和电流达到稳定。这种效应被称为振荡，信号的振荡在信号的上升沿和下降沿经常可以看到。
（五）、传输线效应
基于上述定义的传输线模型，归纳起来，传输线会对整个电路设计带来以下效应。
· 反射信号Reflected signals
· 延时和时序错误Delay & Timing errors
· 多次跨越逻辑电平门限错误False Switching
· 过冲与下冲Overshoot/Undershoot
· 串扰Induced Noise (or crosstalk)
· 电磁辐射EMI radiation
5.1 反射信号
如果一根走线没有被正确终结(终端匹配)，那么来自于驱动端的信号脉冲在接收端被反射，从而引发不预期效应，使信号轮廓失真。当失真变形非常显著时可导致多种错误，引起设计失败。同时，失真变形的信号对噪声的敏感性增加了，也会引起设计失败。如果上述情况没有被足够考虑，EMI将显著增加，这就不单单影响自身设计结果，还会造成整个系统的失败。
反射信号产生的主要原因：过长的走线；未被匹配终结的传输线，过量电容或电感以及阻抗失配。
5.2 延时和时序错误
信号延时和时序错误表现为：信号在逻辑电平的高与低门限之间变化时保持一段时间信号不跳变。过多的信号延时可能导致时序错误和器件功能的混乱。
通常在有多个接收端时会出现问题。电路设计师必须确定最坏情况下的时间延时以确保设计的正确性。信号延时产生的原因：驱动过载，走线过长。
5.3 多次跨越逻辑电平门限错误
信号在跳变的过程中可能多次跨越逻辑电平门限从而导致这一类型的错误。多次跨越逻辑电平门限错误是信号振荡的一种特殊的形式，即信号的振荡发生在逻辑电平门限附近，多次跨越逻辑电平门限会导致逻辑功能紊乱。反射信号产生的原因：过长的走线，未被终结的传输线，过量电容或电感以及阻抗失配。
5.4 过冲与下冲
过冲与下冲来源于走线过长或者信号变化太快两方面的原因。虽然大多数元件接收端有输入保护二极管保护，但有时这些过冲电平会远远超过元件电源电压范围，损坏元器件。
5.5 串扰
串扰表现为在一根信号线上有信号通过时，在PCB板上与之相邻的信号线上就会感应出相关的信号，我们称之为串扰。
信号线距离地线越近，线间距越大，产生的串扰信号越小。异步信号和时钟信号更容易产生串扰。因此解串扰的方法是移开发生串扰的信号或屏蔽被严重干扰的信号。
5.6 电磁辐射
EMI(Electro-Magnetic Interference)即电磁干扰，产生的问题包含过量的电磁辐射及对电磁辐射的敏感性两方面。EMI表现为当数字系统加电运行时，会对周围环境辐射电磁波，从而干扰周围环境中电子设备的正常工作。它产生的主要原因是电路工作频率太高以及布局布线不合理。目前已有进行 EMI仿真的软件工具，但EMI仿真器都很昂贵，仿真参数和边界条件设置又很困难，这将直接影响仿真结果的准确性和实用性。最通常的做法是将控制EMI的各项设计规则应用在设计的每一环节，实现在设计各环节上的规则驱动和控制。
（六）、避免传输线效应的方法
针对上述传输线问题所引入的影响，我们从以下几方面谈谈控制这些影响的方法。
6.1 严格控制关键网线的走线长度
如果设计中有高速跳变的边沿，就必须考虑到在PCB板上存在传输线效应的问题。现在普遍使用的很高时钟频率的快速集成电路芯片更是存在这样的问题。解决这个问题有一些基本原则：如果采用CMOS或TTL电路进行设计，工作频率小于10MHz，布线长度应不大于7英寸。工作频率在50MHz布线长度应不大于1.5英寸。如果工作频率达到或超过75MHz布线长度应在1英寸。对于GaAs芯片最大的布线长度应为0.3英寸。如果超过这个标准，就存在传输线的问题。
6.2 合理规划走线的拓扑结构
解决传输线效应的另一个方法是选择正确的布线路径和终端拓扑结构。走线的拓扑结构是指一根网线的布线顺序及布线结构。当使用高速逻辑器件时，除非走线分支长度保持很短，否则边沿快速变化的信号将被信号主干走线上的分支走线所扭曲。通常情形下，PCB走线采用两种基本拓扑结构，即菊花链(Daisy Chain)布线和星形(Star)分布。
对于菊花链布线，布线从驱动端开始，依次到达各接收端。如果使用串联电阻来改变信号特性，串联电阻的位置应该紧靠驱动端。在控制走线的高次谐波干扰方面，菊花链走线效果最好。但这种走线方式布通率最低，不容易100%布通。实际设计中，我们是使菊花链布线中分支长度尽可能短，安全的长度值应该是：Stub Delay <= Trt *0.1.
例如，高速TTL电路中的分支端长度应小于1.5英寸。这种拓扑结构占用的布线空间较小并可用单一电阻匹配终结。但是这种走线结构使得在不同的信号接收端信号的接收是不同步的。
星形拓扑结构可以有效的避免时钟信号的不同步问题，但在密度很高的PCB板上手工完成布线十分困难。采用自动布线器是完成星型布线的最好的方法。每条分支上都需要终端电阻。终端电阻的阻值应和连线的特征阻抗相匹配。这可通过手工计算，也可通过CAD工具计算出特征阻抗值和终端匹配电阻值。
在上面的两个例子中使用了简单的终端电阻，实际中可选择使用更复杂的匹配终端。第一种选择是RC匹配终端。RC匹配终端可以减少功率消耗，但只能使用于信号工作比较稳定的情况。这种方式最适合于对时钟线信号进行匹配处理。其缺点是RC匹配终端中的电容可能影响信号的形状和传播速度。
串联电阻匹配终端不会产生额外的功率消耗，但会减慢信号的传输。这种方式用于时间延迟影响不大的总线驱动电路。 串联电阻匹配终端的优势还在于可以减少板上器件的使用数量和连线密度。
最后一种方式为分离匹配终端，这种方式匹配元件需要放置在接收端附近。其优点是不会拉低信号，并且可以很好的避免噪声。典型的用于TTL输入信号(ACT, HCT, FAST)。
此外，对于终端匹配电阻的封装型式和安装型式也必须考虑。通常SMD表面贴装电阻比通孔元件具有较低的电感，所以SMD封装元件成为首选。如果选择普通直插电阻也有两种安装方式可选：垂直方式和水平方式。
垂直安装方式中电阻的一条安装管脚很短，可以减少电阻和电路板间的热阻，使电阻的热量更加容易散发到空气中。但较长的垂直安装会增加电阻的电感。水平安装方式因安装较低有更低的电感。但过热的电阻会出现漂移，在最坏的情况下电阻成为开路，造成PCB走线终结匹配失效，成为潜在的失败因素。
6.3 抑止电磁干扰的方法
很好地解决信号完整性问题将改善PCB板的电磁兼容性(EMC)。其中非常重要的是保证PCB板有很好的接地。对复杂的设计采用一个信号层配一个地线层是十分有效的方法。此外，使电路板的最外层信号的密度最小也是减少电磁辐射的好方法，这种方法可采用"表面积层"技术"Build-up"设计制做PCB来实现。表面积层通过在普通工艺 PCB 上增加薄绝缘层和用于贯穿这些层的微孔的组合来实现 ，电阻和电容可埋在表层下，单位面积上的走线密度会增加近一倍，因而可降低 PCB的体积。PCB 面积的缩小对走线的拓扑结构有巨大的影响，这意味着缩小的电流回路，缩小的分支走线长度，而电磁辐射近似正比于电流回路的面积；同时小体积特征意味着高密度引脚封装器件可以被使用，这又使得连线长度下降，从而电流回路减小，提高电磁兼容特性。
6.4 其它可采用技术
为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲，应该为集成电路芯片添加去耦电容。这可以有效去除电源上的毛刺的影响并减少在印制板上的电源环路的辐射。
当去耦电容直接连接在集成电路的电源管腿上而不是连接在电源层上时，其平滑毛刺的效果最好。这就是为什么有一些器件插座上带有去耦电容，而有的器件要求去耦电容距器件的距离要足够的小。
任何高速和高功耗的器件应尽量放置在一起以减少电源电压瞬时过冲。
如果没有电源层，那么长的电源连线会在信号和回路间形成环路，成为辐射源和易感应电路。
走线构成一个不穿过同一网线或其它走线的环路的情况称为开环。如果环路穿过同一网线其它走线则构成闭环。两种情况都会形成天线效应(线天线和环形天线)。天线对外产生EMI辐射，同时自身也是敏感电路。闭环是一个必须考虑的问题，因为它产生的辐射与闭环面积近似成正比。
结束语
高速电路设计是一个非常复杂的设计过程，ZUKEN公司的高速电路布线算法(Route Editor)和EMC/EMI分析软件(INCASES,Hot-Stage)应用于分析和发现问题。本文所阐述的方法就是专门针对解决这些高速电路设计问题的。此外，在进行高速电路设计时有多个因素需要加以考虑，这些因素有时互相对立。如高速器件布局时位置靠近，虽可以减少延时，但可能产生串扰和显著的热效应。因此在设计中，需权衡各因素，做出全面的折衷考虑；既满足设计要求，又降低设计复杂度。高速PCB设计手段的采用构成了设计过程的可控性，只有可控的，才是可靠的，也才能是成功的！
布局布线技术
a) 过孔
过孔一般被使用在多层印制电路版中。当是高速信号时，过孔产生1到4nH的电感和0.3到0.8pF的电容到路径。因此，当铺设高速信号通道时，过孔应该 被保持到绝对的最小。对于高速的并行线(例如地址和数据线)，如果层的改变是不可避免，应该确保每根信号线的过孔数一样。
b) 45度角的路径
与过孔相似，直角的路径转动应该被避免，因为它在内部的边缘能产生集中的电场。该场能产生耦合到相邻路径的躁声，因此，当转动路径时全部的直角路径应该采用45度的。 图5是45度路径的一般规则。
图5成角的路径
c) 短截线
短截线产生反射，同时也潜在增加波长可分的天线到电路的可能。虽然短截线长度可能不是任何在系统的已知信号的波长的四分之一整数，但是附带的辐射可能在短截线上产生共鸣。因此，避免在传送高频率和敏感的信号路径上使用短截线。
图6 短截线
d) 星型的信号排列
虽然星型排列适用于来自多个PCB印制电路版的地线连接，但它带有能产生多个短截线的信号路径。因此，应该被避免用星型排列于高速和敏感的信号上。
e) 辐射型信号排列
辐射型信号排列通常有最短的路径，以及产生从源点到接收器的最小延迟,但是这也能产生多个反射和辐射干扰，所以应该被避免用辐射型排列于高迅和敏感的信号上。
f) 不变的路径宽度
信号路径的宽度从驱动到负载应该是常数。改变路径宽度对路径阻抗（电阻，电感，和电容）产生改变，从而，能产生反射和造成线路阻抗不平衡。所以最好保持路径的宽度不变。
g) 洞和过孔密集
经过电源和地面位面的过孔的密集会在接近过孔的地方产生局部化的阻抗差异。这个区域不仅成为信号活动的“热点”，而且供电面在这点是高阻，象射频电流一样低效。
h) 切分孔隙
与洞和过孔密集相同，切分孔隙（即长洞或宽通道）在电源位面和地位面范围内产生不一致的区域，并且就象防护物一样减少他们的效力，也局部性地递增电源位面和地位面的阻抗。
i) 接地金属化的模具
所有的金属化的模具应该被连接到地，否则，这些大的金属区域能充当辐射天线 织梦好，好织梦
j) 最小化环面积
保持信号路径和它的地返回线紧靠在一起将有助于最小化地环，因而,避免潜在的天线环。对于高速单端信号,有时如果信号路径没有沿着低阻的地位面走，地线回路可能也必须沿着信号路径(如图7)
a) 过孔
过孔一般被使用在多层印制电路版中。当是高速信号时，过孔产生1到4nH的电感和0.3到0.8pF的电容到路径。因此，当铺设高速信号通道时，过孔应该 被保持到绝对的最小。对于高速的并行线(例如地址和数据线)，如果层的改变是不可避免，应该确保每根信号线的过孔数一样。
b) 45度角的路径
与过孔相似，直角的路径转动应该被避免，因为它在内部的边缘能产生集中的电场。该场能产生耦合到相邻路径的躁声，因此，当转动路径时全部的直角路径应该采用45度的。 图5是45度路径的一般规则。
图5成角的路径
c) 短截线
短截线产生反射，同时也潜在增加波长可分的天线到电路的可能。虽然短截线长度可能不是任何在系统的已知信号的波长的四分之一整数，但是附带的辐射可能在短截线上产生共鸣。因此，避免在传送高频率和敏感的信号路径上使用短截线。
图6 短截线
d) 星型的信号排列
虽然星型排列适用于来自多个PCB印制电路版的地线连接，但它带有能产生多个短截线的信号路径。因此，应该被避免用星型排列于高速和敏感的信号上。
e) 辐射型信号排列
辐射型信号排列通常有最短的路径，以及产生从源点到接收器的最小延迟,但是这也能产生多个反射和辐射干扰，所以应该被避免用辐射型排列于高迅和敏感的信号上。
f) 不变的路径宽度
信号路径的宽度从驱动到负载应该是常数。改变路径宽度对路径阻抗（电阻，电感，和电容）产生改变，从而，能产生反射和造成线路阻抗不平衡。所以最好保持路径的宽度不变。
g) 洞和过孔密集
经过电源和地面位面的过孔的密集会在接近过孔的地方产生局部化的阻抗差异。这个区域不仅成为信号活动的“热点”，而且供电面在这点是高阻，象射频电流一样低效。
h) 切分孔隙
与洞和过孔密集相同，切分孔隙（即长洞或宽通道）在电源位面和地位面范围内产生不一致的区域，并且就象防护物一样减少他们的效力，也局部性地递增电源位面和地位面的阻抗。
i) 接地金属化的模具
所有的金属化的模具应该被连接到地，否则，这些大的金属区域能充当辐射天线 织梦好，好织梦
j) 最小化环面积
保持信号路径和它的地返回线紧靠在一起将有助于最小化地环，因而,避免潜在的天线环。对于高速单端信号,有时如果信号路径没有沿着低阻的地位面走，地线回路可能也必须沿着信号路径(如图7)
1. 数字地和模拟地应分开
在高要求电路中，数字地与模拟地必需分开。即使是对于A/D、D/A转换器同一芯片上两种“地”最好也要分开，仅在系统一点上把两种“地”连接起来。
2.浮地与接地
系统浮地，是将系统电路的各部分的地线浮置起来，不与大地相连。这种接法，有一定抗干扰能力。但系统与地的绝缘电阻不能小于50MΩ，一旦绝缘性能下降，就会带来干扰。通常采用系统浮地，机壳接地，可使抗干扰能力增强，安全可靠。
3.一点接地
在低频电路中，布线和元件之间不会产生太大影响。通常频率小于1MHz的电路，采用一点接地。
4.多点接地。
在高频电路中，寄生电容和电感的影响较大。通常频率大于10MHz的电路，采用多点接地.
在高要求电路中，数字地与模拟地必需分开。即使是对于A/D、D/A转换器同一芯片上两种“地”最好也要分开，仅在系统一点上把两种“地”连接起来。
2.浮地与接地
系统浮地，是将系统电路的各部分的地线浮置起来，不与大地相连。这种接法，有一定抗干扰能力。但系统与地的绝缘电阻不能小于50MΩ，一旦绝缘性能下降，就会带来干扰。通常采用系统浮地，机壳接地，可使抗干扰能力增强，安全可靠。
3.一点接地
在低频电路中，布线和元件之间不会产生太大影响。通常频率小于1MHz的电路，采用一点接地。
4.多点接地。
在高频电路中，寄生电容和电感的影响较大。通常频率大于10MHz的电路，采用多点接地.
TTL——Transistor-Transistor Logic
HTTL——High-speed TTL
LTTL——Low-power TTL
STTL——Schottky TTL
LSTTL——Low-power Schottky TTL
ASTTL——Advanced Schottky TTL
ALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL
FAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL
CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor
HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT与TTL电平兼容)
AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)（亦称ACL）
AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT与TTL电平兼容)
FCT——FACT扩展系列，与TTL电平兼容
FACT——Fairchild Advanced CMOS Technology,其
1，TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平
是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是
0.4V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需
要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈
4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常
现象。
3）COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易
烧毁芯片。
防御措施：
1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电
源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS
电路的电源。
6，COMS电路的使用注意事项
1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以
，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的
电流限制在1mA之内。
3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是
外界电容上的电压。
5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：
1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电
平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，
它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电
平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。
8，TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫
做开漏输出。
OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截
止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也
就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD
门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了
能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱
动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
9，什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？
TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为
TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式
输出，高电平400UA，低电平8MA
现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL：
Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：
Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。
TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻； TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。
相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
3.3V LVCMOS：
Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS：
Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。
ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)
Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。
速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。
PECL：Pseudo/Positive ECL
Vcc=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V
LVPELC：Low Voltage PECL
Vcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V
ECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构，必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL：直流匹配时用130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时用82欧上拉，同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)
前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。
LVDS：Low Voltage Differential Signaling
差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4mA，在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。
LVDS使用注意：可以达到600M以上，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内。
下面的电平用的可能不是很多，篇幅关系，只简单做一下介绍。如果感兴趣的话可以联系我。
CML：是内部做好匹配的一种电路，不需再进行匹配。三极管结构，也是差分线，速度能达到3G以上。只能点对点传输。
GTL：类似CMOS的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，另一端接输入信号。1.2V电源供电。
Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOL<=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75V
PGTL/GTL+：
Vcc=1.5V；VOH>=1.4V；VOL<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8V
HSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准：一般有V¬CCIO=1.8V和V¬¬CCIO= 1.5V。和上面的GTL相似，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平(VCCIO/2)，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。V¬¬CCIO=2.5V，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平1.25V，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
HSTL和SSTL大多用在300M以下。
RS232和RS485基本和大家比较熟了，只简单提一下：
RS232采用±12-15V供电，我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0，-12V表示1。可以用MAX3232等专用芯片转换，也可以用两个三极管加一些外围电路进行反相和电压匹配。
RS485是一种差分结构，相对RS232有更高的抗干扰能力。传输距离可以达到上千米。
TTL器件和CMOS器件的逻辑电平
：逻辑电平的一些概念
要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：
1：输入高电平（Vih）： 保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。
2：输入低电平（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平。
3：输出高电平（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。
4：输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。
5：阀值电平(Vt)： 数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平> Vih，输入低电平
对于一般的逻辑电平，以上参数的关系如下：
Voh > Vih > Vt > Vil > Vol。
6：Ioh：逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。
7：Iol：逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。
8：Iih：逻辑门输入为高电平时的电流（为灌电流）。
9：Iil：逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。
门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端，这种形式的门称为开路门。开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路（OC）、漏极开路（OD）、发射极开路（OE），使用时应审查是否接上拉电阻（OC、OD门）或下拉电阻（OE门），以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路（OC）门，其上拉电阻阻值RL应满足下面条件：
（1）： RL < （VCC－Voh）/（n*Ioh＋m*Iih）
（2）：RL > （VCC－Vol）/（Iol＋m*Iil）
其中n：线与的开路门数；m：被驱动的输入端数。
：常用的逻辑电平
·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。
·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列。
·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。
·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。
·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准，RS-422/485是差分输入输出，RS-232是单端输入输出。
TTL和CMOS的逻辑电平关系
图2－1：TTL和CMOS的逻辑电平图
上图为5V TTL逻辑电平、5V CMOS逻辑电平、LVTTL逻辑电平和LVCMOS逻辑电平的示意图。
5V TTL逻辑电平和5V CMOS逻辑电平是很通用的逻辑电平，注意他们的输入输出电平差别较大，在互连时要特别注意。
另外5V CMOS器件的逻辑电平参数与供电电压有一定关系，一般情况下，Voh≥Vcc-0.2V，Vih≥0.7Vcc；Vol≤0.1V，Vil≤0.3Vcc；噪声容限较TTL电平高。
JEDEC组织在定义3.3V的逻辑电平标准时，定义了LVTTL和LVCMOS逻辑电平标准。
LVTTL逻辑电平标准的输入输出电平与5V TTL逻辑电平标准的输入输出电平很接近，从而给它们之间的互连带来了方便。 LVTTL逻辑电平定义的工作电压范围是3.0－3.6V。
LVCMOS逻辑电平标准是从5V CMOS逻辑电平关注移植过来的，所以它的Vih、Vil和Voh、Vol与工作电压有关，其值如上图所示。LVCMOS逻辑电平定义的工作电压范围是2.7－3.6V。
5V的CMOS逻辑器件工作于3.3V时，其输入输出逻辑电平即为LVCMOS逻辑电平，它的Vih大约为0.7×VCC＝2.31V左右，由于此电平与LVTTL的Voh（2.4V）之间的电压差太小，使逻辑器件工作不稳定性增加，所以一般不推荐使用5V CMOS器件工作于3.3V电压的工作方式。由于相同的原因，使用LVCMOS输入电平参数的3.3V逻辑器件也很少。
JEDEC组织为了加强在3.3V上各种逻辑器件的互连和3.3V与5V逻辑器件的互连，在参考LVCMOS和LVTTL逻辑电平标准的基础上，又定义了一种标准，其名称即为3.3V逻辑电平标准，其参数如下：
图2－2：低电压逻辑电平标准
从上图可以看出，3.3V逻辑电平标准的参数其实和LVTTL逻辑电平标准的参数差别不大，只是它定义的Vol可以很低（0.2V），另外，它还定义了其Voh最高可以到VCC-0.2V，所以3.3V逻辑电平标准可以包容LVCMOS的输出电平。在实际使用当中，对LVTTL标准和3.3V逻辑电平标准并不太区分，某些地方用LVTTL电平标准来替代3.3V逻辑电平标准，一般是可以的。
JEDEC组织还定义了2.5V逻辑电平标准，如上图所示。另外，还有一种2.5V CMOS逻辑电平标准，它与上图的2.5V逻辑电平标准差别不大，可兼容。
低电压的逻辑电平还有1.8V、1.5V、1.2V的逻辑电平。
、TTL和CMOS逻辑器件
逻辑器件的分类方法有很多，下面以逻辑器件的功能、工艺特点和逻辑电平等方法来进行简单描述。
：TTL和CMOS器件的功能分类
按功能进行划分，逻辑器件可以大概分为以下几类： 门电路和反相器、选择器、译码器、计数器、寄存器、触发器、锁存器、缓冲驱动器、收发器、总线开关、背板驱动器等。
1：门电路和反相器
逻辑门主要有与门74X08、与非门74X00、或门74X32、或非门74X02、异或门74X86、反相器74X04等。
2：选择器
选择器主要有2-1、4-1、8-1选择器74X157、74X153、74X151等。
3： 编/译码器
编/译码器主要有2/4、3/8和4/16译码器74X139、74X138、74X154等。
4：计数器
计数器主要有同步计数器74X161和异步计数器74X393等。
5：寄存器
寄存器主要有串-并移位寄存器74X164和并-串寄存器74X165等。
6：触发器
触发器主要有J-K触发器、带三态的D触发器74X374、不带三态的D触发器74X74、施密特触发器等。
7：锁存器
锁存器主要有D型锁存器74X373、寻址锁存器74X259等。
8：缓冲驱动器
缓冲驱动器主要有带反向的缓冲驱动器74X240和不带反向的缓冲驱动器74X244等。
9：收发器
收发器主要有寄存器收发器74X543、通用收发器74X245、总线收发器等。
10：总线开关
总线开关主要包括总线交换和通用总线器件等。
11：背板驱动器
背板驱动器主要包括TTL或LVTTL电平与GTL/GTL+（GTLP）或BTL之间的电平转换器件。
：TTL和CMOS逻辑器件的工艺分类特点
按工艺特点进行划分，逻辑器件可以分为Bipolar、CMOS、BiCMOS等工艺，其中包括器件系列有：
Bipolar（双极）工艺的器件有： TTL、S、LS、AS、F、ALS。
CMOS工艺的器件有： HC、HCT、CD40000、ACL、FCT、LVC、LV、CBT、ALVC、AHC、AHCT、CBTLV、AVC、GTLP。
BiCMOS工艺的器件有： BCT、ABT、LVT、ALVT。
：TTL和CMOS逻辑器件的电平分类特点
TTL和CMOS的电平主要有以下几种：5VTTL、5VCMOS（Vih≥0.7*Vcc，Vil≤0.3*Vcc）、3.3V电平、2.5V电平等。
5V的逻辑器件
5V器件包含TTL、S、LS、ALS、AS、HCT、HC、BCT、74F、ACT、AC、AHCT、AHC、ABT等系列器件
3.3V及以下的逻辑器件
包含LV的和V 系列及AHC和AC系列，主要有LV、AHC、AC、ALB、LVC、ALVC、LVT等系列器件。
具体情况可以参考下图：
图3－1：TI公司的逻辑器件示例图
：包含特殊功能的逻辑器件
A．总线保持功能（Bus hold）
由内部反馈电路保持输入端最后的确定状态，防止因输入端浮空的不确定而导致器件振荡自激损坏；输入端无需外接上拉或下拉电阻，节省PCB空间，降低了器件成本开销和功耗，见图6－3。ABT、LVT、ALVC、ALVCH、ALVTH、LVC、GTL系列器件有此功能。 命名特征为附加了“H”如：74ABTH16244。
图3－2：总线保持功能图 图3－3：串行阻尼电阻图
B．串联阻尼电阻（series damping resistors）
输出端加入串联阻尼电阻可以限流，有助于降低信号上冲/下冲噪声，消除线路振铃，改善信号质量。如图6－4所示。具有此特征的ABT、LVC、LVT、ALVC系列器件在命名中加入了“2”或“R”以示区别，如ABT162245，ALVCHR162245。对于单向驱动器件，串联电阻加在其输出端，命名如SN74LVC2244；对于双向的收发器件，串联电阻加在两边的输出端，命名如SN74LVCR2245。
C．上电/掉电三态（PU3S，Power up/power down 3-state）
即热拔插性能。上电/掉电时器件输出端为三态，Vcc阀值为2.1V；应用于热拔插器件/板卡产品，确保拔插状态时输出数据的完整性。多数ABT、LVC、LVT、LVTH系列器件有此特征。
D．ABT 器件（Advanced BiCMOS Technology）
结合了CMOS器件(如HC/HCT、LV/LVC、ALVC、AHC/AHCT)的高输入阻抗特性和双极性器件(Bipolar，如TTL、LS、AS、ALS)输出驱动能力强的特点。包括ABT、LVT、ALVT等系列器件，应用于低电压，低静态功耗环境。
E．Vcc/GND对称分布
16位Widebus器件的重要特征，对称配置引脚，有利于改善噪声性能。AHC/AHCT、AVT、AC/ACT、CBT、LVT、ALVC、LVC、ALB系列16位Widebus器件有此特征。
F．分离轨器件（Split-rail）
即双电源器件，具有两种电源输入引脚VccA和VccB，可分别接5V或3.3V电源电压。如ALVC164245、LVC4245等，命名特征为附加了“4”。
逻辑器件的使用指南
1：多余不用输入管脚的处理
在多数情况下，集成电路芯片的管脚不会全部被使用。例如74ABT16244系列器件最多可以使用16路I/O管脚，但实际上通常不会全部使用，这样就会存在悬空端子。所有数字逻辑器件的无用端子必须连接到一个高电平或低电平，以防止电流漂移（具有总线保持功能的器件无需处理不用输入管脚）。究竟上拉还是下拉由实际器件在何种方式下功耗最低确定。 244、16244经测试在接高电平时静态功耗较小，而接地时静态功耗较大，故建议其无用端子处理以通过电阻接电源为好，电阻值推荐为1～10K。
2：选择板内驱动器件的驱动能力，速度，不能盲目追求大驱动能力和高速的器件，应该选择能够满足设计要求，同时有一定的余量的器件，这样可以减少信号过冲，改善信号质量。 并且在设计时必须考虑信号匹配。
3：在对驱动能力和速度要求较高的场合，如高速总线型信号线，可使用ABT、LVT系列。板间接口选择ABT16244/245或LVTH16244/245，并在母板两端匹配，在不影响速度的条件下与母板接口尽量串阻，以抑制过冲、保护器件，典型电阻值为10- 200Ω左右，另外，也可以使用并接二级管来进行处理，效果也不错，如1N4148等（抗冲击较好）。
4：在总线达到产生传输线效应的长度后，应考虑对传输线进行匹配，一般采用的方式有始端匹配、终端匹配等。
始端匹配是在芯片的输出端串接电阻，目的是防止信号畸变和地弹反射，特别当总线要透过接插件时，尤其须做始端匹配。 内部带串联阻尼电阻的器件相当于始端匹配，由于其阻值固定，无法根据实际情况进行调整，在多数场合对于改善信号质量收效不大，故此不建议推荐使用。始端匹配推荐电阻值为10～51 Ω，在实际使用中可根据IBIS模型模拟仿真确定其具体值。
由于终端匹配网络加重了总线负载，所以不应该因为匹配而使Buffer的实际驱动电流大于驱动器件所能提供的最大Source、Sink电流值。
应选择正确的终端匹配网络，使总线即使在没有任何驱动源时，其线电压仍能保持在稳定的高电平。
5：要注意高速驱动器件的电源滤波。如ABT、LVT系列芯片在布线时，建议在芯片的四组电源引脚附近分别接0.1 μ或0.01 μ电容。
6：可编程器件任何电源引脚、地线引脚均不能悬空；在每个可编程器件的电源和地间要并接0.1uF的去耦电容，去耦电容尽量靠近电源引脚，并与地形成尽可能小的环路。
7：收发总线需有上拉电阻或上下拉电阻，保证总线浮空时能处于一个有效电平，以减小功耗和干扰。
8：373/374/273等器件为工作可靠，锁存时钟输入建议串入10－200欧电阻。
9：时钟、复位等引脚输入往往要求较高电平，必要时可上拉电阻。
10：注意不同系列器件是否有带电插拔功能及应用设计中的注意事项，在设计带电插拔电路时请参考公司的《单板带电插拔设计规范》。
11：注意电平接口的兼容性。 选用器件时要注意电平信号类型，对于有不同逻辑电平互连的情况，请遵守本规范的相应的章节的具体要求。
12： 在器件工作过程中，为保证器件安全运行，器件引脚上的电压及电流应严格控制在器件手册指定的范围内。逻辑器件的工作电压不要超出它所允许的范围。
13：逻辑器件的输入信号不要超过它所能允许的电压输入范围，不然可能会导致芯片性能下降甚至损坏逻辑器件。
14：对开关量输入应串电阻，以避免过压损坏。
15：对于带有缓冲器的器件不要用于线性电路，如放大器。
、TTL、CMOS器件的互连
：器件的互连总则
在公司产品的某些单板上，有时需要在某些逻辑电平的器件之间进行互连。在不同逻辑电平器件之间进行互连时主要考虑以下几点：
1：电平关系，必须保证在各自的电平范围内工作，否则，不能满足正常逻辑功能，严重时会烧毁芯片。
2：驱动能力，必须根据器件的特性参数仔细考虑，计算和试验，否则很可能造成隐患，在电源波动，受到干扰时系统就会崩溃。
3：时延特性，在高速信号进行逻辑电平转换时，会带来较大的延时，设计时一定要充分考虑其容限。
4：选用电平转换逻辑芯片时应慎重考虑，反复对比。通常逻辑电平转换芯片为通用转换芯片，可靠性高，设计方便，简化了电路，但对于具体的设计电路一定要考虑以上三种情况，合理选用。
对于数字电路来说，各种器件所需的输入电流、输出驱动电流不同，为了驱动大电流器件、远距离传输、同时驱动多个器件，都需要审查电流驱动能力：输出电流应大于负载所需输入电流；另一方面，TTL、CMOS、ECL等输入、输出电平标准不一致，同时采用上述多种器件时应考虑电平之间的转换问题。
我们在电路设计中经常遇到不同的逻辑电平之间的互连，不同的互连方法对电路造成以下影响：
·对逻辑电平的影响。应保证合格的噪声容限（Vohmin－Vihmin≥0.4V，Vilmax－Volmax ≥0.4V)，并且输出电压不超过输入电压允许范围。
·对上升/下降时间的影响。应保证Tplh和Tphl满足电路时序关系的要求和EMC的要求。
·对电压过冲的影响。过冲不应超出器件允许电压绝对最大值，否则有可能导致器件损坏。
TTL和CMOS的逻辑电平关系如下图所示：
图4－1： TTL和CMOS的逻辑电平关系图
图4－2：低电压逻辑电平标准
3.3V的逻辑电平标准如前面所述有三种，实际的3.3V TTL/CMOS逻辑器件的输入电平参数一般都使用LVTTL或3.3V逻辑电平标准（一般很少使用LVCMOS输入电平），输出电平参数在小电流负载时高低电平可分别接近电源电压和地电平（类似LVCMOS输出电平），在大电流负载时输出电平参数则接近LVTTL电平参数，所以输出电平参数也可归入3.3V逻辑电平，另外，一些公司的手册中将其归纳如LVTTL的输出逻辑电平，也可以。
在下面讨论逻辑电平的互连时，对3.3V TTL/CMOS的逻辑电平，我们就指的是3.3V逻辑电平或LVTTL逻辑电平。
常用的TTL和CMOS逻辑电平分类有：5V TTL、5V CMOS、3.3V TTL/CMOS、3.3V/5V Tol.、和OC/OD门。
其中：
3.3V/5V Tol.是指输入是3.3V逻辑电平，但可以忍受5V电压的信号输入。
3.3V TTL/CMOS逻辑电平表示不能输入5V信号的逻辑电平，否则会出问题。
注意某些5V的CMOS逻辑器件，它也可以工作于3.3V的电压，但它与真正的3.3V器件（是LVTTL逻辑电平）不同，比如其VIH是2.31V（＝0.7×3.3V，工作于3.3V）（其实是LVCMOS逻辑输入电平），而不是2.0V，因而与真正的3.3V器件互连时工作不太可靠，使用时要特别注意，在设计时最好不要采用这类工作方式。
值得注意的是有些器件有单独的输入或输出电压管脚，此管脚接3.3V的电压时，器件的输入或输出逻辑电平为3.3V的逻辑电平信号，而当它接5V电压时，输入或输出的逻辑电平为5V的逻辑电平信号，此时应该按该管脚上接的电压的值来确定输入和输出的逻辑电平属于哪种分类。
对于可编程器件（EPLD和FPGA）的互连也要根据器件本身的特点并参考本章节的内容进行处理。
以上5种逻辑电平类型之间的驱动关系如下表：
输入
5V TTL 3.3V /5V Tol. 3.3V TTL/CMOS 5V CMOS
输出 5V TTL √ √ ?/FONT> ?/FONT>
3.3V TTL/CMOS √ √ √ ?/FONT>
5V CMOS √ √ ?/FONT> √
OC/OD 上拉 上拉 上拉 上拉
上表中打钩（√）的表示逻辑电平直接互连没有问题，打星号（?/FONT>）的表示要做特别处理。
对于打星号（?/FONT>）的逻辑电平的互连情况，具体见后面说明。
一般对于高逻辑电平驱动低逻辑电平的情况如简单处理估计可以通过串接10－1K欧的电阻来实现，具体阻值可以通过试验确定，如为可靠起见，可参考后面推荐的接法。
从上表可看出OC/OD输出加上拉电阻可以驱动所有逻辑电平，5V TTL和3.3V /5V Tol.可以被所有逻辑电平驱动。所以如果您的可编程逻辑器件有富裕的管脚，优先使用其OC/OD输出加上拉电阻实现逻辑电平转换；其次才用以下专门的逻辑器件转换。
对于其他的不能直接互连的逻辑电平，可用下列逻辑器件进行处理，详细见后面5.2到5.5节。
TI的AHCT系列器件为5V TTL输入、5V CMOS输出。
TI的LVC/LVT系列器件为TTL/CMOS逻辑电平输入、3.3V TTL（LVTTL）输出，也可以用双轨器件替代。
注意：不是所有的LVC/LVT系列器件都能够运行5V TTL/CMOS输入，一般只有带后缀A的和LVCH/LVTH系列的可以，具体可以参考其器件手册。
：5V TTL门作驱动源
·驱动3.3V TTL/CMOS
通过LVC/LVT系列器件（为TTL/CMOS逻辑电平输入，LVTTL逻辑电平输出）进行转换。
·驱动5V CMOS
可以使用上拉5V电阻的方式解决，或者使用AHCT系列器件（为5V TTL输入、5V CMOS输出）进行转换。
：3.3V TTL/CMOS门作驱动源
·驱动5V CMOS
使用AHCT系列器件（为5V TTL输入、5V CMOS输出）进行转换（3.3V TTL电平（LVTTL）与5V TTL电平可以互连）。
：5V CMOS门作驱动源
·驱动3.3V TTL/CMOS
通过LVC/LVT器件（输入是TTL/CMOS逻辑电平，输出是LVTTL逻辑电平）进行转换。
：2.5V CMOS逻辑电平的互连
随着芯片技术的发展，未来使用2.5V电压的芯片和逻辑器件也会越来越多，这里简单谈一下2.5V逻辑电平与其他电平的互连，主要是谈一下2.5V逻辑电平与3.3V逻辑电平的互连。（注意：对于某些芯片，由于采用了优化设计，它的2.5V管脚的逻辑电平可以和3.3V的逻辑电平互连，此时就不需要再进行逻辑电平的转换了。）
1：3.3V TTL/CMOS逻辑电平驱动2.5V CMOS逻辑电平
2.5V的逻辑器件有LV、LVC、AVC、ALVT、ALVC等系列，其中前面四种系列器件工作在2.5V时可以容忍3.3V的电平信号输入，而ALVC不行，所以可以使用LV、LVC、AVC、ALVT系列器件来进行3.3V TTL/CMOS逻辑电平到2.5V CMOS逻辑电平的转换。
2：2.5V CMOS逻辑电平驱动3.3V TTL/CMOS逻辑电平
2.5V CMOS逻辑电平的VOH为2.0V，而3.3V TTL/CMOS的逻辑电平的VIH也为2.0V，所以直接互连的话可能会出问题（除非3.3V的芯片本身的VIH参数明确降低了）。此时可以使用双轨器件SN74LVCC3245A来进行2.5V逻辑电平到3.3V逻辑电平的转换，另外，使用OC/OD们加上拉电阻应该也是可以的。
EPLD和FPGA器件的逻辑电平
：概述
首先在选择可编程逻辑器件时,要找符合你所选用的ASSP的IO标准；其次，你必须考虑的是：目前，随着系统性能的不断提高，传统的TTL、LVTTL、CMOS、LVCMOS等单端接口标准越来越不能满足要求，特别是在背板方面。因为，这些单端信号的信号完整性在系统设计时很难保证，以至于导致系统的不可靠工作。这一点在时钟方面尤为重要，因为，在同步设计的今天，时钟是系统工作的基础。当然，差分信号是最好的选择，比如：LVDS、LVPECL等。但是，这些信号标准一个通道需要一对IO_PIN，这在许多应用情况下不太划算。此时，一些比较容易实现阻抗匹配的单端信号标准是较好的选择，比如：GTL、GTL+等。
：各类可编程器件接口电平要求
在设计中，若同时使用了不同工作电压等级的多个可编程器件，要注意它们之间信号的接口规范。比如，5V的器件驱动3.3V的器件时，可能会出现:当5V的高电平连到3.3V的输入时，由于大部分的CMOS的输入信号管脚都有连到电源Vcc的钳位二极管，大于3.3伏的输入高电平会使该钳位二极管出现问题。
事实上，由于有些系列的可编程器件如XILINX的XC4000XL，XC4000XV，Spartan-XL采用了特殊的技术，可以避免这种情况的发生。因此该系列的器件可以在不同工作电压之间互相连接。
对于2.5V的器件，由于可以选择相关的输入参考电压和输出的电压基准，因此可以通过相关的电压数值的选取，对照3.3V的器件来使用 。
对于某类器件，如ALTERA公司的FLEX10K系列器件，可支持多电压I/O接口，FLEX10K，FLEX10KA，FLEX10B都可以接不同电源电压系统
HTTL——High-speed TTL
LTTL——Low-power TTL
STTL——Schottky TTL
LSTTL——Low-power Schottky TTL
ASTTL——Advanced Schottky TTL
ALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL
FAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL
CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor
HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT与TTL电平兼容)
AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)（亦称ACL）
AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT与TTL电平兼容)
FCT——FACT扩展系列，与TTL电平兼容
FACT——Fairchild Advanced CMOS Technology,其
1，TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平
是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是
0.4V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需
要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈
4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常
现象。
3）COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易
烧毁芯片。
防御措施：
1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电
源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS
电路的电源。
6，COMS电路的使用注意事项
1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以
，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的
电流限制在1mA之内。
3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是
外界电容上的电压。
5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：
1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电
平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，
它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电
平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。
8，TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫
做开漏输出。
OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截
止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也
就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD
门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了
能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱
动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
9，什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？
TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为
TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式
输出，高电平400UA，低电平8MA
现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL：
Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：
Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。
TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻； TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。
相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
3.3V LVCMOS：
Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS：
Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。
ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)
Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。
速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。
PECL：Pseudo/Positive ECL
Vcc=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V
LVPELC：Low Voltage PECL
Vcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V
ECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构，必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL：直流匹配时用130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时用82欧上拉，同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)
前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。
LVDS：Low Voltage Differential Signaling
差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4mA，在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。
LVDS使用注意：可以达到600M以上，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内。
下面的电平用的可能不是很多，篇幅关系，只简单做一下介绍。如果感兴趣的话可以联系我。
CML：是内部做好匹配的一种电路，不需再进行匹配。三极管结构，也是差分线，速度能达到3G以上。只能点对点传输。
GTL：类似CMOS的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，另一端接输入信号。1.2V电源供电。
Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOL<=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75V
PGTL/GTL+：
Vcc=1.5V；VOH>=1.4V；VOL<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8V
HSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准：一般有V¬CCIO=1.8V和V¬¬CCIO= 1.5V。和上面的GTL相似，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平(VCCIO/2)，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。V¬¬CCIO=2.5V，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平1.25V，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
HSTL和SSTL大多用在300M以下。
RS232和RS485基本和大家比较熟了，只简单提一下：
RS232采用±12-15V供电，我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0，-12V表示1。可以用MAX3232等专用芯片转换，也可以用两个三极管加一些外围电路进行反相和电压匹配。
RS485是一种差分结构，相对RS232有更高的抗干扰能力。传输距离可以达到上千米。
TTL器件和CMOS器件的逻辑电平
：逻辑电平的一些概念
要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：
1：输入高电平（Vih）： 保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。
2：输入低电平（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平。
3：输出高电平（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。
4：输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。
5：阀值电平(Vt)： 数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平> Vih，输入低电平
对于一般的逻辑电平，以上参数的关系如下：
Voh > Vih > Vt > Vil > Vol。
6：Ioh：逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。
7：Iol：逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。
8：Iih：逻辑门输入为高电平时的电流（为灌电流）。
9：Iil：逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。
门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端，这种形式的门称为开路门。开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路（OC）、漏极开路（OD）、发射极开路（OE），使用时应审查是否接上拉电阻（OC、OD门）或下拉电阻（OE门），以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路（OC）门，其上拉电阻阻值RL应满足下面条件：
（1）： RL < （VCC－Voh）/（n*Ioh＋m*Iih）
（2）：RL > （VCC－Vol）/（Iol＋m*Iil）
其中n：线与的开路门数；m：被驱动的输入端数。
：常用的逻辑电平
·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。
·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列。
·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。
·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。
·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准，RS-422/485是差分输入输出，RS-232是单端输入输出。
TTL和CMOS的逻辑电平关系
图2－1：TTL和CMOS的逻辑电平图
上图为5V TTL逻辑电平、5V CMOS逻辑电平、LVTTL逻辑电平和LVCMOS逻辑电平的示意图。
5V TTL逻辑电平和5V CMOS逻辑电平是很通用的逻辑电平，注意他们的输入输出电平差别较大，在互连时要特别注意。
另外5V CMOS器件的逻辑电平参数与供电电压有一定关系，一般情况下，Voh≥Vcc-0.2V，Vih≥0.7Vcc；Vol≤0.1V，Vil≤0.3Vcc；噪声容限较TTL电平高。
JEDEC组织在定义3.3V的逻辑电平标准时，定义了LVTTL和LVCMOS逻辑电平标准。
LVTTL逻辑电平标准的输入输出电平与5V TTL逻辑电平标准的输入输出电平很接近，从而给它们之间的互连带来了方便。 LVTTL逻辑电平定义的工作电压范围是3.0－3.6V。
LVCMOS逻辑电平标准是从5V CMOS逻辑电平关注移植过来的，所以它的Vih、Vil和Voh、Vol与工作电压有关，其值如上图所示。LVCMOS逻辑电平定义的工作电压范围是2.7－3.6V。
5V的CMOS逻辑器件工作于3.3V时，其输入输出逻辑电平即为LVCMOS逻辑电平，它的Vih大约为0.7×VCC＝2.31V左右，由于此电平与LVTTL的Voh（2.4V）之间的电压差太小，使逻辑器件工作不稳定性增加，所以一般不推荐使用5V CMOS器件工作于3.3V电压的工作方式。由于相同的原因，使用LVCMOS输入电平参数的3.3V逻辑器件也很少。
JEDEC组织为了加强在3.3V上各种逻辑器件的互连和3.3V与5V逻辑器件的互连，在参考LVCMOS和LVTTL逻辑电平标准的基础上，又定义了一种标准，其名称即为3.3V逻辑电平标准，其参数如下：
图2－2：低电压逻辑电平标准
从上图可以看出，3.3V逻辑电平标准的参数其实和LVTTL逻辑电平标准的参数差别不大，只是它定义的Vol可以很低（0.2V），另外，它还定义了其Voh最高可以到VCC-0.2V，所以3.3V逻辑电平标准可以包容LVCMOS的输出电平。在实际使用当中，对LVTTL标准和3.3V逻辑电平标准并不太区分，某些地方用LVTTL电平标准来替代3.3V逻辑电平标准，一般是可以的。
JEDEC组织还定义了2.5V逻辑电平标准，如上图所示。另外，还有一种2.5V CMOS逻辑电平标准，它与上图的2.5V逻辑电平标准差别不大，可兼容。
低电压的逻辑电平还有1.8V、1.5V、1.2V的逻辑电平。
、TTL和CMOS逻辑器件
逻辑器件的分类方法有很多，下面以逻辑器件的功能、工艺特点和逻辑电平等方法来进行简单描述。
：TTL和CMOS器件的功能分类
按功能进行划分，逻辑器件可以大概分为以下几类： 门电路和反相器、选择器、译码器、计数器、寄存器、触发器、锁存器、缓冲驱动器、收发器、总线开关、背板驱动器等。
1：门电路和反相器
逻辑门主要有与门74X08、与非门74X00、或门74X32、或非门74X02、异或门74X86、反相器74X04等。
2：选择器
选择器主要有2-1、4-1、8-1选择器74X157、74X153、74X151等。
3： 编/译码器
编/译码器主要有2/4、3/8和4/16译码器74X139、74X138、74X154等。
4：计数器
计数器主要有同步计数器74X161和异步计数器74X393等。
5：寄存器
寄存器主要有串-并移位寄存器74X164和并-串寄存器74X165等。
6：触发器
触发器主要有J-K触发器、带三态的D触发器74X374、不带三态的D触发器74X74、施密特触发器等。
7：锁存器
锁存器主要有D型锁存器74X373、寻址锁存器74X259等。
8：缓冲驱动器
缓冲驱动器主要有带反向的缓冲驱动器74X240和不带反向的缓冲驱动器74X244等。
9：收发器
收发器主要有寄存器收发器74X543、通用收发器74X245、总线收发器等。
10：总线开关
总线开关主要包括总线交换和通用总线器件等。
11：背板驱动器
背板驱动器主要包括TTL或LVTTL电平与GTL/GTL+（GTLP）或BTL之间的电平转换器件。
：TTL和CMOS逻辑器件的工艺分类特点
按工艺特点进行划分，逻辑器件可以分为Bipolar、CMOS、BiCMOS等工艺，其中包括器件系列有：
Bipolar（双极）工艺的器件有： TTL、S、LS、AS、F、ALS。
CMOS工艺的器件有： HC、HCT、CD40000、ACL、FCT、LVC、LV、CBT、ALVC、AHC、AHCT、CBTLV、AVC、GTLP。
BiCMOS工艺的器件有： BCT、ABT、LVT、ALVT。
：TTL和CMOS逻辑器件的电平分类特点
TTL和CMOS的电平主要有以下几种：5VTTL、5VCMOS（Vih≥0.7*Vcc，Vil≤0.3*Vcc）、3.3V电平、2.5V电平等。
5V的逻辑器件
5V器件包含TTL、S、LS、ALS、AS、HCT、HC、BCT、74F、ACT、AC、AHCT、AHC、ABT等系列器件
3.3V及以下的逻辑器件
包含LV的和V 系列及AHC和AC系列，主要有LV、AHC、AC、ALB、LVC、ALVC、LVT等系列器件。
具体情况可以参考下图：
图3－1：TI公司的逻辑器件示例图
：包含特殊功能的逻辑器件
A．总线保持功能（Bus hold）
由内部反馈电路保持输入端最后的确定状态，防止因输入端浮空的不确定而导致器件振荡自激损坏；输入端无需外接上拉或下拉电阻，节省PCB空间，降低了器件成本开销和功耗，见图6－3。ABT、LVT、ALVC、ALVCH、ALVTH、LVC、GTL系列器件有此功能。 命名特征为附加了“H”如：74ABTH16244。
图3－2：总线保持功能图 图3－3：串行阻尼电阻图
B．串联阻尼电阻（series damping resistors）
输出端加入串联阻尼电阻可以限流，有助于降低信号上冲/下冲噪声，消除线路振铃，改善信号质量。如图6－4所示。具有此特征的ABT、LVC、LVT、ALVC系列器件在命名中加入了“2”或“R”以示区别，如ABT162245，ALVCHR162245。对于单向驱动器件，串联电阻加在其输出端，命名如SN74LVC2244；对于双向的收发器件，串联电阻加在两边的输出端，命名如SN74LVCR2245。
C．上电/掉电三态（PU3S，Power up/power down 3-state）
即热拔插性能。上电/掉电时器件输出端为三态，Vcc阀值为2.1V；应用于热拔插器件/板卡产品，确保拔插状态时输出数据的完整性。多数ABT、LVC、LVT、LVTH系列器件有此特征。
D．ABT 器件（Advanced BiCMOS Technology）
结合了CMOS器件(如HC/HCT、LV/LVC、ALVC、AHC/AHCT)的高输入阻抗特性和双极性器件(Bipolar，如TTL、LS、AS、ALS)输出驱动能力强的特点。包括ABT、LVT、ALVT等系列器件，应用于低电压，低静态功耗环境。
E．Vcc/GND对称分布
16位Widebus器件的重要特征，对称配置引脚，有利于改善噪声性能。AHC/AHCT、AVT、AC/ACT、CBT、LVT、ALVC、LVC、ALB系列16位Widebus器件有此特征。
F．分离轨器件（Split-rail）
即双电源器件，具有两种电源输入引脚VccA和VccB，可分别接5V或3.3V电源电压。如ALVC164245、LVC4245等，命名特征为附加了“4”。
逻辑器件的使用指南
1：多余不用输入管脚的处理
在多数情况下，集成电路芯片的管脚不会全部被使用。例如74ABT16244系列器件最多可以使用16路I/O管脚，但实际上通常不会全部使用，这样就会存在悬空端子。所有数字逻辑器件的无用端子必须连接到一个高电平或低电平，以防止电流漂移（具有总线保持功能的器件无需处理不用输入管脚）。究竟上拉还是下拉由实际器件在何种方式下功耗最低确定。 244、16244经测试在接高电平时静态功耗较小，而接地时静态功耗较大，故建议其无用端子处理以通过电阻接电源为好，电阻值推荐为1～10K。
2：选择板内驱动器件的驱动能力，速度，不能盲目追求大驱动能力和高速的器件，应该选择能够满足设计要求，同时有一定的余量的器件，这样可以减少信号过冲，改善信号质量。 并且在设计时必须考虑信号匹配。
3：在对驱动能力和速度要求较高的场合，如高速总线型信号线，可使用ABT、LVT系列。板间接口选择ABT16244/245或LVTH16244/245，并在母板两端匹配，在不影响速度的条件下与母板接口尽量串阻，以抑制过冲、保护器件，典型电阻值为10- 200Ω左右，另外，也可以使用并接二级管来进行处理，效果也不错，如1N4148等（抗冲击较好）。
4：在总线达到产生传输线效应的长度后，应考虑对传输线进行匹配，一般采用的方式有始端匹配、终端匹配等。
始端匹配是在芯片的输出端串接电阻，目的是防止信号畸变和地弹反射，特别当总线要透过接插件时，尤其须做始端匹配。 内部带串联阻尼电阻的器件相当于始端匹配，由于其阻值固定，无法根据实际情况进行调整，在多数场合对于改善信号质量收效不大，故此不建议推荐使用。始端匹配推荐电阻值为10～51 Ω，在实际使用中可根据IBIS模型模拟仿真确定其具体值。
由于终端匹配网络加重了总线负载，所以不应该因为匹配而使Buffer的实际驱动电流大于驱动器件所能提供的最大Source、Sink电流值。
应选择正确的终端匹配网络，使总线即使在没有任何驱动源时，其线电压仍能保持在稳定的高电平。
5：要注意高速驱动器件的电源滤波。如ABT、LVT系列芯片在布线时，建议在芯片的四组电源引脚附近分别接0.1 μ或0.01 μ电容。
6：可编程器件任何电源引脚、地线引脚均不能悬空；在每个可编程器件的电源和地间要并接0.1uF的去耦电容，去耦电容尽量靠近电源引脚，并与地形成尽可能小的环路。
7：收发总线需有上拉电阻或上下拉电阻，保证总线浮空时能处于一个有效电平，以减小功耗和干扰。
8：373/374/273等器件为工作可靠，锁存时钟输入建议串入10－200欧电阻。
9：时钟、复位等引脚输入往往要求较高电平，必要时可上拉电阻。
10：注意不同系列器件是否有带电插拔功能及应用设计中的注意事项，在设计带电插拔电路时请参考公司的《单板带电插拔设计规范》。
11：注意电平接口的兼容性。 选用器件时要注意电平信号类型，对于有不同逻辑电平互连的情况，请遵守本规范的相应的章节的具体要求。
12： 在器件工作过程中，为保证器件安全运行，器件引脚上的电压及电流应严格控制在器件手册指定的范围内。逻辑器件的工作电压不要超出它所允许的范围。
13：逻辑器件的输入信号不要超过它所能允许的电压输入范围，不然可能会导致芯片性能下降甚至损坏逻辑器件。
14：对开关量输入应串电阻，以避免过压损坏。
15：对于带有缓冲器的器件不要用于线性电路，如放大器。
、TTL、CMOS器件的互连
：器件的互连总则
在公司产品的某些单板上，有时需要在某些逻辑电平的器件之间进行互连。在不同逻辑电平器件之间进行互连时主要考虑以下几点：
1：电平关系，必须保证在各自的电平范围内工作，否则，不能满足正常逻辑功能，严重时会烧毁芯片。
2：驱动能力，必须根据器件的特性参数仔细考虑，计算和试验，否则很可能造成隐患，在电源波动，受到干扰时系统就会崩溃。
3：时延特性，在高速信号进行逻辑电平转换时，会带来较大的延时，设计时一定要充分考虑其容限。
4：选用电平转换逻辑芯片时应慎重考虑，反复对比。通常逻辑电平转换芯片为通用转换芯片，可靠性高，设计方便，简化了电路，但对于具体的设计电路一定要考虑以上三种情况，合理选用。
对于数字电路来说，各种器件所需的输入电流、输出驱动电流不同，为了驱动大电流器件、远距离传输、同时驱动多个器件，都需要审查电流驱动能力：输出电流应大于负载所需输入电流；另一方面，TTL、CMOS、ECL等输入、输出电平标准不一致，同时采用上述多种器件时应考虑电平之间的转换问题。
我们在电路设计中经常遇到不同的逻辑电平之间的互连，不同的互连方法对电路造成以下影响：
·对逻辑电平的影响。应保证合格的噪声容限（Vohmin－Vihmin≥0.4V，Vilmax－Volmax ≥0.4V)，并且输出电压不超过输入电压允许范围。
·对上升/下降时间的影响。应保证Tplh和Tphl满足电路时序关系的要求和EMC的要求。
·对电压过冲的影响。过冲不应超出器件允许电压绝对最大值，否则有可能导致器件损坏。
TTL和CMOS的逻辑电平关系如下图所示：
图4－1： TTL和CMOS的逻辑电平关系图
图4－2：低电压逻辑电平标准
3.3V的逻辑电平标准如前面所述有三种，实际的3.3V TTL/CMOS逻辑器件的输入电平参数一般都使用LVTTL或3.3V逻辑电平标准（一般很少使用LVCMOS输入电平），输出电平参数在小电流负载时高低电平可分别接近电源电压和地电平（类似LVCMOS输出电平），在大电流负载时输出电平参数则接近LVTTL电平参数，所以输出电平参数也可归入3.3V逻辑电平，另外，一些公司的手册中将其归纳如LVTTL的输出逻辑电平，也可以。
在下面讨论逻辑电平的互连时，对3.3V TTL/CMOS的逻辑电平，我们就指的是3.3V逻辑电平或LVTTL逻辑电平。
常用的TTL和CMOS逻辑电平分类有：5V TTL、5V CMOS、3.3V TTL/CMOS、3.3V/5V Tol.、和OC/OD门。
其中：
3.3V/5V Tol.是指输入是3.3V逻辑电平，但可以忍受5V电压的信号输入。
3.3V TTL/CMOS逻辑电平表示不能输入5V信号的逻辑电平，否则会出问题。
注意某些5V的CMOS逻辑器件，它也可以工作于3.3V的电压，但它与真正的3.3V器件（是LVTTL逻辑电平）不同，比如其VIH是2.31V（＝0.7×3.3V，工作于3.3V）（其实是LVCMOS逻辑输入电平），而不是2.0V，因而与真正的3.3V器件互连时工作不太可靠，使用时要特别注意，在设计时最好不要采用这类工作方式。
值得注意的是有些器件有单独的输入或输出电压管脚，此管脚接3.3V的电压时，器件的输入或输出逻辑电平为3.3V的逻辑电平信号，而当它接5V电压时，输入或输出的逻辑电平为5V的逻辑电平信号，此时应该按该管脚上接的电压的值来确定输入和输出的逻辑电平属于哪种分类。
对于可编程器件（EPLD和FPGA）的互连也要根据器件本身的特点并参考本章节的内容进行处理。
以上5种逻辑电平类型之间的驱动关系如下表：
输入
5V TTL 3.3V /5V Tol. 3.3V TTL/CMOS 5V CMOS
输出 5V TTL √ √ ?/FONT> ?/FONT>
3.3V TTL/CMOS √ √ √ ?/FONT>
5V CMOS √ √ ?/FONT> √
OC/OD 上拉 上拉 上拉 上拉
上表中打钩（√）的表示逻辑电平直接互连没有问题，打星号（?/FONT>）的表示要做特别处理。
对于打星号（?/FONT>）的逻辑电平的互连情况，具体见后面说明。
一般对于高逻辑电平驱动低逻辑电平的情况如简单处理估计可以通过串接10－1K欧的电阻来实现，具体阻值可以通过试验确定，如为可靠起见，可参考后面推荐的接法。
从上表可看出OC/OD输出加上拉电阻可以驱动所有逻辑电平，5V TTL和3.3V /5V Tol.可以被所有逻辑电平驱动。所以如果您的可编程逻辑器件有富裕的管脚，优先使用其OC/OD输出加上拉电阻实现逻辑电平转换；其次才用以下专门的逻辑器件转换。
对于其他的不能直接互连的逻辑电平，可用下列逻辑器件进行处理，详细见后面5.2到5.5节。
TI的AHCT系列器件为5V TTL输入、5V CMOS输出。
TI的LVC/LVT系列器件为TTL/CMOS逻辑电平输入、3.3V TTL（LVTTL）输出，也可以用双轨器件替代。
注意：不是所有的LVC/LVT系列器件都能够运行5V TTL/CMOS输入，一般只有带后缀A的和LVCH/LVTH系列的可以，具体可以参考其器件手册。
：5V TTL门作驱动源
·驱动3.3V TTL/CMOS
通过LVC/LVT系列器件（为TTL/CMOS逻辑电平输入，LVTTL逻辑电平输出）进行转换。
·驱动5V CMOS
可以使用上拉5V电阻的方式解决，或者使用AHCT系列器件（为5V TTL输入、5V CMOS输出）进行转换。
：3.3V TTL/CMOS门作驱动源
·驱动5V CMOS
使用AHCT系列器件（为5V TTL输入、5V CMOS输出）进行转换（3.3V TTL电平（LVTTL）与5V TTL电平可以互连）。
：5V CMOS门作驱动源
·驱动3.3V TTL/CMOS
通过LVC/LVT器件（输入是TTL/CMOS逻辑电平，输出是LVTTL逻辑电平）进行转换。
：2.5V CMOS逻辑电平的互连
随着芯片技术的发展，未来使用2.5V电压的芯片和逻辑器件也会越来越多，这里简单谈一下2.5V逻辑电平与其他电平的互连，主要是谈一下2.5V逻辑电平与3.3V逻辑电平的互连。（注意：对于某些芯片，由于采用了优化设计，它的2.5V管脚的逻辑电平可以和3.3V的逻辑电平互连，此时就不需要再进行逻辑电平的转换了。）
1：3.3V TTL/CMOS逻辑电平驱动2.5V CMOS逻辑电平
2.5V的逻辑器件有LV、LVC、AVC、ALVT、ALVC等系列，其中前面四种系列器件工作在2.5V时可以容忍3.3V的电平信号输入，而ALVC不行，所以可以使用LV、LVC、AVC、ALVT系列器件来进行3.3V TTL/CMOS逻辑电平到2.5V CMOS逻辑电平的转换。
2：2.5V CMOS逻辑电平驱动3.3V TTL/CMOS逻辑电平
2.5V CMOS逻辑电平的VOH为2.0V，而3.3V TTL/CMOS的逻辑电平的VIH也为2.0V，所以直接互连的话可能会出问题（除非3.3V的芯片本身的VIH参数明确降低了）。此时可以使用双轨器件SN74LVCC3245A来进行2.5V逻辑电平到3.3V逻辑电平的转换，另外，使用OC/OD们加上拉电阻应该也是可以的。
EPLD和FPGA器件的逻辑电平
：概述
首先在选择可编程逻辑器件时,要找符合你所选用的ASSP的IO标准；其次，你必须考虑的是：目前，随着系统性能的不断提高，传统的TTL、LVTTL、CMOS、LVCMOS等单端接口标准越来越不能满足要求，特别是在背板方面。因为，这些单端信号的信号完整性在系统设计时很难保证，以至于导致系统的不可靠工作。这一点在时钟方面尤为重要，因为，在同步设计的今天，时钟是系统工作的基础。当然，差分信号是最好的选择，比如：LVDS、LVPECL等。但是，这些信号标准一个通道需要一对IO_PIN，这在许多应用情况下不太划算。此时，一些比较容易实现阻抗匹配的单端信号标准是较好的选择，比如：GTL、GTL+等。
：各类可编程器件接口电平要求
在设计中，若同时使用了不同工作电压等级的多个可编程器件，要注意它们之间信号的接口规范。比如，5V的器件驱动3.3V的器件时，可能会出现:当5V的高电平连到3.3V的输入时，由于大部分的CMOS的输入信号管脚都有连到电源Vcc的钳位二极管，大于3.3伏的输入高电平会使该钳位二极管出现问题。
事实上，由于有些系列的可编程器件如XILINX的XC4000XL，XC4000XV，Spartan-XL采用了特殊的技术，可以避免这种情况的发生。因此该系列的器件可以在不同工作电压之间互相连接。
对于2.5V的器件，由于可以选择相关的输入参考电压和输出的电压基准，因此可以通过相关的电压数值的选取，对照3.3V的器件来使用 。
对于某类器件，如ALTERA公司的FLEX10K系列器件，可支持多电压I/O接口，FLEX10K，FLEX10KA，FLEX10B都可以接不同电源电压系统
